频率范围：2 GHz 至 20 GHz
　　增益：典型值 24 dB
　　输出IP3：典型值 35 dBm
　　输出1dB压缩点：典型值 25 dBm
　　工作电压：12 V
　　工作电流：典型值 750 mA
　　封装类型：QFN（8引脚）

CMD196C3 拥有极高的线性度，这使得它非常适合用于高阶调制方案，例如在 4G/5G 基站和微波回传系统中，确保信号的完整性与低误码率。
　　该芯片具备宽频带操作能力，可在 2 GHz 至 20 GHz 的范围内保持稳定的性能，减少了设计中对多个专用器件的需求，从而简化了射频前端设计。
　　高输出1dB压缩点（25 dBm）和优异的三阶交调截点（OIP3 达 35 dBm）确保了在高功率输出下的信号质量，适合高动态范围应用。
　　此外，CMD196C3 使用 12 V 单电源供电，典型工作电流为 750 mA，在射频功率放大器中具有较高的能效比，有助于降低系统功耗和热管理复杂度。
　　采用 8 引脚 QFN 封装，具有良好的热性能和空间利用率，便于在高密度 PCB 设计中使用，并支持表面贴装工艺，提高了制造效率。

CMD196C3 主要应用于无线通信基础设施，如 4G/5G 宏基站和小型基站中的中功率射频放大环节，以提升信号的发射强度和覆盖范围。
　　在卫星通信系统中，该芯片用于上行链路和下行链路的信号放大，提供高线性度和宽频带支持，确保数据传输的稳定性。
　　在测试与测量设备中，CMD196C3 可作为驱动放大器，用于信号发生器或频谱分析仪等设备的射频输出级，提供稳定且低失真的测试信号。
　　此外，它也适用于军事和航空航天领域的雷达和电子战系统，满足高可靠性、宽频率范围和高功率需求。
　　在工业自动化和物联网（IoT）应用中，CMD196C3 能够作为远距离无线连接的功率放大器，提升无线模块的通信距离和穿透能力。

HMC459LC4BTR, MAAP-011220, RFPA0405