时间：2025/6/3 18:39:58
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SCY99163DTBR2G 是一款高性能的双极性晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的增益性能、低噪声特性和高线性度，适用于无线通信系统、射频放大器以及各种高频电路中。
这款晶体管具有良好的稳定性和可靠性，在广泛的温度范围内都能保持稳定的性能表现，因此非常适合在严苛环境下使用。
型号：SCY99163DTBR2G
类型：双极性晶体管 (Bipolar Transistor)
集电极-发射极电压（Vce）：80 V
集电极电流（Ic）：15 A
频率范围：DC 至 3 GHz
增益带宽积：12 GHz
功耗：150 W
封装形式：TO-263
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SCY99163DTBR2G 的主要特性包括：
1. 高频率操作能力，能够支持高达 3 GHz 的应用。
2. 优异的增益性能和线性度，确保信号传输的质量。
3. 低噪声系数，适合对噪声敏感的应用场景。
4. 良好的热稳定性和机械强度，使其可以在极端条件下长期运行。
5. 具备高功率处理能力，满足大功率射频放大需求。
6. 封装形式紧凑，便于集成到现代电路设计中。
SCY99163DTBR2G 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基础设施中的射频功率放大器。
2. 雷达系统和卫星通信设备。
3. 高频滤波器及混频器设计。
4. 医疗成像设备和其他需要高频信号处理的场合。
5. 工业加热设备和等离子体生成装置。
6. 测试与测量仪器中的信号发生器和接收机模块。
SCY99163DTRR2G
SCY99163DTAR2G
MRF157
BUX58
