容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：55ns 最大
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：32 引脚 DIP
　　封装尺寸：约 18.4mm x 39.0mm
　　功耗：典型 200mA（待机模式下 10mA）
　　输入/输出电平：CMOS 兼容

BS62LV256DCP55 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM），适用于需要高性能和稳定性的应用场合。该芯片具有 256Kbit 的存储容量，组织方式为 32K x 8 位，这意味着它可以存储 32,768 个字节的数据，每个字节由 8 位组成。其访问时间为 55ns，这使得它在需要快速数据读取和写入的应用中表现优异。
　　该芯片采用 2.7V 至 3.6V 的宽电压范围供电，增强了其在不同电源环境下的适应性。BS62LV256DCP55 支持 CMOS 输入/输出电平，确保与多种数字电路的兼容性，并且其低功耗设计使其在待机模式下仅消耗约 10mA 的电流，适合电池供电或低功耗系统使用。
　　该 SRAM 的封装形式为 32 引脚 DIP（双列直插式封装），便于插拔和焊接，适用于工业控制、嵌入式系统、通信设备等应用场合。此外，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在恶劣环境中运行，具备良好的稳定性和可靠性。
　　BS62LV256DCP55 的设计考虑了高速数据传输的需求，其快速的访问时间减少了系统等待时间，提高了整体性能。此外，该芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的电磁环境中保持正常工作。

BS62LV256DCP55 适用于多种高性能电子系统，包括工业自动化控制设备、嵌入式系统、数据采集模块、通信设备（如路由器、交换机）、测试仪器以及需要高速缓存或临时数据存储的场合。其宽电压范围和工业级温度适应性使其非常适合用于恶劣环境下的可靠运行。

CY62148BLL-55PSC、IS62C2516ALBLL-55NLI、MB84V256A-55PJG-B