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2SK1837 发布时间 时间:2025/9/7 18:56:41 查看 阅读:31

2SK1837是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高效率的DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。2SK1837封装形式通常为SOP或TSSOP,具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100mA(最大)
  导通电阻(RDS(on)):约3.5Ω(典型值,VGS=10V时)
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOP、TSSOP

特性

2SK1837具有多个关键特性,使其在低功耗和高效能应用中表现出色。首先,其较低的导通电阻(RDS(on))可以减少导通损耗,提高整体系统效率。其次,该MOSFET具有快速的开关特性,适用于高频开关操作,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高响应速度。
  此外,2SK1837采用了高密度沟槽式结构,提高了芯片的电流承载能力,并优化了热管理性能。该器件具有良好的温度稳定性,在宽温度范围内保持性能一致,适用于工业级和汽车电子应用。
  其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的5V至10V驱动电路,兼容多种控制器和逻辑电平电路。封装形式小巧,适用于空间受限的设计,并具有较好的抗静电能力。

应用

2SK1837广泛应用于多种电子系统中,如DC-DC转换器、负载开关、LED驱动器、小型电机控制以及电池管理系统。在便携式设备中,该器件可用于高效能的电源管理模块,延长电池续航时间。在工业控制系统中,2SK1837可用于驱动继电器、传感器和小型执行器。此外,该MOSFET也适用于低功耗的物联网(IoT)设备和智能家居产品中的开关控制电路。

替代型号

2SK1837的替代型号包括2SK1836、2SK1838和Si2302DS。这些型号在电气特性和封装形式上与2SK1837相似,可在设计中作为替代选择。

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