时间：2025/6/26 15:05:58
阅读：5
CBR06C808BAGAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关芯片，主要用于需要高频和高效能表现的电力电子应用。它采用了增强型 GaN 晶体管结构设计，能够显著降低导通电阻和开关损耗，从而提高整体系统效率。
该器件具有极低的寄生电感和出色的热性能，非常适合用于电源适配器、快充设备、服务器电源、通信电源以及工业电源等领域。
型号：CBR06C808BAGAC
类型：GaN 功率开关
额定电压：650V
额定电流：8A
导通电阻（典型值）：80mΩ
栅极驱动电压（开启/关断）：6V/0V
最大工作结温：175°C
封装形式：LFPAK8L
开关频率范围：高达 2MHz
静态漏电流：小于 1μA
输入电容：约 1000pF
CBR06C808BAGAC 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻和输出电容，有助于降低传导损耗和开关损耗。
2. 支持高频操作，可显著减小磁性元件体积并提升功率密度。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提升了系统的可靠性。
4. 高度集成的设计减少了外围电路复杂度，节省了 PCB 空间。
5. 兼容标准硅 MOSFET 栅极驱动器，易于替代传统方案。
6. 良好的热性能，确保在高温环境下依然稳定运行。
CBR06C808BAGAC 广泛应用于各种高性能电源管理领域，包括但不限于：
1. USB-PD 快速充电器
2. AC-DC 和 DC-DC 开关电源
3. 数据中心和服务器电源模块
4. 通信基站电源
5. 无线充电设备
6. 工业电机驱动与控制
7. 太阳能逆变器和其他新能源转换装置
CBR06C606BAGAC, CBR06C1008BAGAC
