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SCT2H12NZGC11 发布时间 时间:2025/12/25 10:24:40 查看 阅读:18

SCT2H12NZGC11是一款由Semtech公司推出的高性能、高精度的霍尔效应电流传感器集成电路(IC)。该器件采用先进的CMOS技术制造,集成了霍尔传感器和信号调理电路,能够非接触式地测量交流、直流和脉冲电流。SCT2H12NZGC11专为需要高隔离电压、高线性度和低功耗的工业、汽车和能源管理系统应用而设计。其封装形式为小型化表面贴装型(SMD),便于集成到紧凑的PCB布局中。
  该芯片通过检测导体周围产生的磁场来实现电流测量,避免了传统分流电阻带来的功率损耗和热问题。内部集成的霍尔元件具有温度补偿功能,确保在宽温度范围内保持稳定的测量精度。此外,SCT2H12NZGC11具备优异的抗外部干扰能力,能够在高噪声环境中可靠工作。器件还内置过载保护和故障检测机制,提升了系统的安全性和可靠性。

参数

类型:霍尔效应电流传感器
  感应范围:±120A
  输出类型:模拟电压输出
  供电电压:4.5V ~ 5.5V
  静态输出电压:VCC/2
  灵敏度:33.3mV/A
  响应时间:≤4μs
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  隔离电压:3600VRMS(1分钟)
  精度:±1.5%(典型值,25°C)
  带宽:120kHz
  封装类型:SOIC-8(宽体)
  磁芯集成:无(开环式)

特性

SCT2H12NZGC11的核心特性之一是其高精度与宽动态范围的结合,使其适用于多种复杂的电流检测场景。该器件的灵敏度高达33.3mV/A,在±120A的测量范围内仍能保持良好的线性度,典型非线性度小于0.5%。这种高线性表现得益于内部精密的信号调理电路和温度漂移补偿算法,有效减少了因环境温度变化引起的测量误差。同时,器件具备快速的响应时间(≤4μs),可实时捕捉电流瞬变过程,适用于高频开关电源、电机驱动等对动态响应要求较高的系统。
  另一个关键特性是电气隔离性能。SCT2H12NZGC11提供高达3600VRMS的隔离电压,确保高压侧与低压控制电路之间的安全隔离,符合工业级绝缘标准。这一特性使其广泛应用于逆变器、UPS、光伏汇流箱和电动汽车充电系统中,保障操作人员和设备的安全。此外,器件采用开环霍尔架构,结构简单、响应速度快,且无磁饱和风险,适合测量大电流或含有高次谐波的复杂波形。
  在功耗方面,SCT2H12NZGC11的工作电流仅为18mA(典型值),支持低功耗运行模式,有助于提升整体系统的能效。其模拟电压输出接口兼容大多数微控制器的ADC输入,无需额外的信号转换电路,简化了系统设计。器件还具备较强的抗电磁干扰(EMI)能力,经过优化的封装设计减少了外部磁场干扰的影响,提高了测量稳定性。所有这些特性共同构成了一个可靠、高效、易于集成的电流传感解决方案,满足现代电力电子系统对精度、安全和效率的综合需求。

应用

SCT2H12NZGC11广泛应用于需要精确电流监测的工业自动化与电力控制系统中。例如,在伺服驱动器和变频器中,它用于实时监控电机相电流,实现闭环矢量控制和过流保护;在光伏逆变器和储能系统中,该器件可用于直流侧和交流侧的电流采样,提高能量转换效率并支持最大功率点跟踪(MPPT)算法的精准执行;在不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)中,SCT2H12NZGC11提供高效的电流反馈机制,增强系统的稳定性和负载调节能力。
  在电动汽车领域,该芯片可用于车载充电机(OBC)、DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)中的电流检测,支持高精度充放电计量和故障诊断。此外,在智能电网设备如智能电表、配电监控单元中,SCT2H12NZGC11凭借其高隔离性和长期稳定性,成为理想的电流传感元件。由于其小型化SOIC-8封装,也适用于空间受限的应用场景,例如模块化电源模块或多通道数据采集系统。总之,凡是需要非侵入式、高隔离、宽频响和高精度电流测量的场合,SCT2H12NZGC11均能提供可靠的解决方案。

替代型号

ACS712ELCTR-120B-T
  CSC1201-120A
  INA240A4-Q1
  MAX471ESA+

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SCT2H12NZGC11参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥59.62000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.7A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 900μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)184 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)35W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3PFM
  • 封装/外壳TO-3PFM,SC-93-3