时间：2025/10/10 20:31:28
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931265106 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道、低电容、瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，并封装在紧凑的 SOT753（也称为 SOD882）小尺寸表面贴装封装中，适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备。该芯片内部集成了两个独立的双向 TVS 二极管，能够为两条信号线提供对称的过压保护，确保在正负方向的瞬态脉冲下都能有效钳位电压，防止后级电路受损。由于其低电容特性，931265106 特别适合用于高速数据接口的保护，例如 USB、HDMI、音频线路和触摸屏控制器等应用场景。该器件具有出色的响应速度（通常在皮秒级别），能够在纳秒级的 ESD 脉冲到来之前迅速导通并将能量泄放到地，从而保障系统的稳定性和可靠性。此外，它符合国际电磁兼容性（EMC）标准，如 IEC 61000-4-2（ESD 抗扰度，接触放电可达 ±15kV）和 IEC 61000-4-4（EFT 抗扰度），使其成为工业、消费类及通信设备中理想的电路保护解决方案。
类型：双通道双向TVS二极管阵列
封装：SOT753 (SOD882)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
峰值脉冲功率（PPPM）：每通道最高可达350W（8/20μs电流波形）
反向截止电压（VRWM）：5.0V
击穿电压（VBR）：典型值6.0V（最大6.6V）
钳位电压（VC）：最大12.0V（在IPP=1A条件下）
电容值（Cj）：典型值为2.5pF（在0V偏压下）
漏电流（IR）：最大1μA（在VRWM=5V时）
ESD耐受能力：符合IEC 61000-4-2 Level 4，接触放电±15kV，空气放电±15kV
引脚数量：3
极性配置：双向，双通道共阴极结构
931265106 的核心优势在于其卓越的低电容与高瞬态抑制能力的结合，使其在高速信号路径中几乎不会引入信号失真或衰减。每个通道的典型结电容仅为2.5pF，在高频信号传输过程中能有效避免带宽损失和信号反射问题，这对于现代高速数字接口至关重要。其双向对称的TVS结构设计允许在正负方向的瞬态过压事件中均能提供一致的保护性能，特别适用于交流耦合或双向信号线路。
该器件具备非常快的响应时间，通常在小于1纳秒内即可从高阻态切换到低阻态，迅速将瞬态能量引导至地线，从而限制输出端的电压上升幅度，保护后级IC不被损坏。这种快速响应能力对于抵御人体模型（HBM）或机器模型（MM）产生的静电放电尤为重要。
此外，931265106 采用了Nexperia成熟的硅晶圆工艺和封装技术，保证了产品的一致性、可靠性和长期稳定性。其SOT753超小型封装仅占约1mm x 1.6mm的PCB面积，非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他空间受限的应用场景。热性能方面，尽管封装微小，但通过优化内部金属连接和散热路径，能够在短时间内承受高达350W的峰值脉冲功率，展现出良好的能量吸收能力。
该器件还具有极低的漏电流（最大1μA），在正常工作状态下几乎不影响系统功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制等领域。整体而言，931265106 是一款高性能、小型化、高可靠性的电路保护元件，广泛用于各类需要抗干扰能力强、信号完整性高的电子系统中。
931265106 主要应用于需要高等级ESD保护的便携式和高密度电子产品中。典型使用场景包括智能手机和平板电脑中的USB接口（如USB 2.0 Data+和Data-线）、耳机插孔、SIM卡槽、microSD卡接口以及触摸屏传感器信号线的防护。在这些应用中，用户频繁插拔外设或直接接触接口，极易引入静电放电，因此必须配备高效的TVS保护器件以防止主控芯片损坏。
此外，该器件也常用于笔记本电脑、显示器和电视的HDMI、DisplayPort等高速视频接口保护，因其低电容特性可确保高清信号无损传输。在工业通信领域，如RS-485、CAN总线等差分信号线路中，931265106 可作为辅助保护元件，增强系统的电磁兼容性（EMC）表现。
汽车电子中的信息娱乐系统、车载摄像头模块和车内USB充电端口同样适用此器件，满足AEC-Q101车规认证要求的相关版本可用于汽车环境。在物联网设备、智能家居终端和无线耳机等小型化智能硬件中，931265106 凭借其微型封装和高效保护能力成为首选的ESD防护方案。总之，凡是有高速信号传输且面临外部静电威胁的应用场合，都是931265106 的典型应用领域。
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