时间：2025/7/22 23:39:36
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GW60H65DFB 是一款由 GlobalWafers（台湾环球晶圆）制造的高电压、高频率功率 MOSFET 器件。该器件采用了先进的 DMOS 技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于多种高功率和高效率的电源管理系统。该器件采用 TO-247 封装形式，具有良好的散热性能，适用于高电流和高温工作环境。GW60H65DFB 主要面向工业电源、UPS（不间断电源）、电机驱动和新能源等领域，具有良好的可靠性和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.15Ω
栅极电荷（Qg）：90nC（典型值）
最大功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
GW60H65DFB 功率 MOSFET 在设计上采用了先进的平面 DMOS 技术，确保了其在高电压和高电流条件下的稳定性和高效能表现。其低导通电阻（RDS(on)）使得导通损耗显著降低，提高了整体系统效率。
此外，该器件的高耐压能力（650V）使其能够适用于多种高压电源转换系统，如PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
GW60H65DFB 还具备良好的热稳定性，得益于其TO-247封装的优良散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，降低开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件还具有较强的抗雪崩能力和过载保护性能，增强了其在严苛工业环境下的耐用性和可靠性。
GW60H65DFB 主要应用于高功率电源系统，包括但不限于以下领域：
工业电源和UPS（不间断电源）系统中用于功率转换和稳压控制；
新能源系统如光伏逆变器和储能系统中的DC-AC逆变电路；
电机驱动和变频器中作为主开关器件，实现高效的电机控制；
开关电源（SMPS）中用于PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑结构；
LED照明驱动电源、高频感应加热设备等对效率和可靠性要求较高的应用场景。
IXFH60N65X2, IRFP4668, FDPF60N65WS, SCT3060AL
