时间：2025/6/9 18:39:33
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SI3447CDV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 ThinPAK 8x8（T1 封装），能够有效降低寄生电感并提升散热性能。
这款 MOSFET 广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及通信电源等场景中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：54A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：39nC
输入电容：3450pF
总热阻（结到壳）：0.5°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3447CDV 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动下仅为 1.2mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 54A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，能够有效降低开关损耗。
4. 增强的热性能设计，通过优化的 ThinPAK 封装实现更低的热阻，确保在高温环境下的可靠性。
5. 兼容标准表面贴装工艺，简化了生产流程并提高了装配效率。
6. 符合 RoHS 标准，并具备防潮能力，适合大批量生产和长期存储需求。
SI3447CDV 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 服务器、笔记本电脑及通信设备中的多相电压调节模块（VRM）。
3. 电动工具、家用电器以及其他需要高效功率控制的电机驱动电路。
4. 各种负载开关和保护电路，例如电池管理系统（BMS）中的过流保护。
5. 工业自动化设备中的高频逆变器和控制器组件。
此外，该器件还适合其他要求高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子应用。
SI3446CDV-T1-GE3
IRLR7843PBF
AO3447A
