SCT20N120 时间：2025/7/22 5:14:19 阅读：12

SCT20N120是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于碳化硅（SiC）功率器件系列。该器件基于SiC材料技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。SCT20N120的漏源电压（VDS）为1200V，连续漏极电流（ID）为20A，适用于工业电源、电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器以及高功率DC-DC转换器等应用。

参数

型号：SCT20N120
　　类型：N沟道SiC MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：1200V
　　最大漏极电流(ID)：20A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：典型值为2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为80mΩ
　　最大工作温度：175°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

SCT20N120具有多项突出的电气和物理特性。首先，其基于碳化硅（SiC）材料的半导体技术使其具备宽禁带特性，显著提高了器件的耐高压能力和热稳定性。相比传统硅基MOSFET，SCT20N120在高温下仍能保持优异的性能，工作温度可达175°C，从而减少散热设计的复杂性。
　　其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）仅为80mΩ，降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，SCT20N120的开关速度非常快，具备较低的开关损耗，这对于高频开关应用（如DC-DC转换器和逆变器）尤为重要，有助于提升系统的功率密度和能效。
　　该器件还具有优异的短路耐受能力和抗过载能力，提高了系统的可靠性。栅极阈值电压（VGS(th)）典型值为2.5V，支持标准驱动电路的兼容性，简化了驱动设计。SCT20N120采用TO-247AC封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率应用环境。

应用

SCT20N120广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。在工业领域，它常用于高功率开关电源（SMPS）、电机驱动器和工业逆变器，特别是在需要1200V电压等级的场合。
　　在电动汽车（EV）领域，SCT20N120可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，提供高效的电能转换能力，满足电动汽车对能量密度和效率的高要求。
　　此外，该器件也适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统，帮助提高能量转换效率并降低系统损耗。在储能系统中，SCT20N120可以用于高效率的双向DC-DC变换器，实现能量的高效存储与释放。
　　由于其优异的高温性能和快速开关特性，SCT20N120还适合用于高频电源转换器和工业加热设备。