SCT20N120是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于碳化硅(SiC)功率器件系列。该器件基于SiC材料技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。SCT20N120的漏源电压(VDS)为1200V,连续漏极电流(ID)为20A,适用于工业电源、电动汽车(EV)充电系统、可再生能源逆变器以及高功率DC-DC转换器等应用。
型号:SCT20N120
类型:N沟道SiC MOSFET
最大漏源电压(VDS):1200V
最大漏极电流(ID):20A
栅极阈值电压(VGS(th)):典型值为2.5V
导通电阻(RDS(on)):典型值为80mΩ
最大工作温度:175°C
封装形式:TO-247AC
SCT20N120具有多项突出的电气和物理特性。首先,其基于碳化硅(SiC)材料的半导体技术使其具备宽禁带特性,显著提高了器件的耐高压能力和热稳定性。相比传统硅基MOSFET,SCT20N120在高温下仍能保持优异的性能,工作温度可达175°C,从而减少散热设计的复杂性。
其次,该MOSFET的导通电阻(RDS(on))仅为80mΩ,降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,SCT20N120的开关速度非常快,具备较低的开关损耗,这对于高频开关应用(如DC-DC转换器和逆变器)尤为重要,有助于提升系统的功率密度和能效。
该器件还具有优异的短路耐受能力和抗过载能力,提高了系统的可靠性。栅极阈值电压(VGS(th))典型值为2.5V,支持标准驱动电路的兼容性,简化了驱动设计。SCT20N120采用TO-247AC封装,具备良好的热管理和机械稳定性,适用于高功率应用环境。
SCT20N120广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。在工业领域,它常用于高功率开关电源(SMPS)、电机驱动器和工业逆变器,特别是在需要1200V电压等级的场合。
在电动汽车(EV)领域,SCT20N120可用于车载充电器(OBC)和DC-DC转换器,提供高效的电能转换能力,满足电动汽车对能量密度和效率的高要求。
此外,该器件也适用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能转换系统,帮助提高能量转换效率并降低系统损耗。在储能系统中,SCT20N120可以用于高效率的双向DC-DC变换器,实现能量的高效存储与释放。
由于其优异的高温性能和快速开关特性,SCT20N120还适合用于高频电源转换器和工业加热设备。
SCT30N120, SCT25N120, SiC MOSFET 1200V 25A (如C3M00650T120K), SiC MOSFET 1200V 15A (如C3M0080120K)