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SCT20N120 发布时间 时间:2025/7/22 5:14:19 查看 阅读:5

SCT20N120是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于碳化硅(SiC)功率器件系列。该器件基于SiC材料技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。SCT20N120的漏源电压(VDS)为1200V,连续漏极电流(ID)为20A,适用于工业电源、电动汽车(EV)充电系统、可再生能源逆变器以及高功率DC-DC转换器等应用。

参数

型号:SCT20N120
  类型:N沟道SiC MOSFET
  最大漏源电压(VDS):1200V
  最大漏极电流(ID):20A
  栅极阈值电压(VGS(th)):典型值为2.5V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为80mΩ
  最大工作温度:175°C
  封装形式:TO-247AC

特性

SCT20N120具有多项突出的电气和物理特性。首先,其基于碳化硅(SiC)材料的半导体技术使其具备宽禁带特性,显著提高了器件的耐高压能力和热稳定性。相比传统硅基MOSFET,SCT20N120在高温下仍能保持优异的性能,工作温度可达175°C,从而减少散热设计的复杂性。
  其次,该MOSFET的导通电阻(RDS(on))仅为80mΩ,降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,SCT20N120的开关速度非常快,具备较低的开关损耗,这对于高频开关应用(如DC-DC转换器和逆变器)尤为重要,有助于提升系统的功率密度和能效。
  该器件还具有优异的短路耐受能力和抗过载能力,提高了系统的可靠性。栅极阈值电压(VGS(th))典型值为2.5V,支持标准驱动电路的兼容性,简化了驱动设计。SCT20N120采用TO-247AC封装,具备良好的热管理和机械稳定性,适用于高功率应用环境。

应用

SCT20N120广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。在工业领域,它常用于高功率开关电源(SMPS)、电机驱动器和工业逆变器,特别是在需要1200V电压等级的场合。
  在电动汽车(EV)领域,SCT20N120可用于车载充电器(OBC)和DC-DC转换器,提供高效的电能转换能力,满足电动汽车对能量密度和效率的高要求。
  此外,该器件也适用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能转换系统,帮助提高能量转换效率并降低系统损耗。在储能系统中,SCT20N120可以用于高效率的双向DC-DC变换器,实现能量的高效存储与释放。
  由于其优异的高温性能和快速开关特性,SCT20N120还适合用于高频电源转换器和工业加热设备。

替代型号

SCT30N120, SCT25N120, SiC MOSFET 1200V 25A (如C3M00650T120K), SiC MOSFET 1200V 15A (如C3M0080120K)

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SCT20N120参数

  • 现有数量151现货
  • 价格1 : ¥135.78000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)290 毫欧 @ 10A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)650 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)175W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装HiP247?
  • 封装/外壳TO-247-3