NJJ29C0BHN/0F62 时间：2025/5/19 14:26:15 阅读：4

NJJ29C0BHN/0F62 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提升电路效率并降低能耗。
　　这款 MOSFET 通常用于需要快速开关和高效功率转换的应用中，其出色的电气特性和稳定性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。

参数

类型：MOSFET
　　封装：TO-252
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
　　Id（持续漏极电流）：30A
　　Qg（栅极电荷）：18nC
　　Vgs(th)（阈值电压）：2.5V
　　f（工作频率）：500kHz

特性

NJJ29C0BHN/0F62 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低功率损耗。
　　2. 高耐压能力，支持高达 60V 的漏源极电压，适用于多种高压应用场景。
　　3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，可以实现高频操作。
　　4. 小型封装设计，便于在空间受限的电路板上进行布局。
　　5. 稳定的工作性能，在高温环境下依然保持良好的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色电子产品的需求。

应用

NJJ29C0BHN/0F62 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
　　2. 电机驱动中的功率级控制元件。
　　3. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　4. LED 驱动电路中的负载开关。
　　5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
　　6. 工业自动化设备中的功率转换与控制部分。