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PUMD19,115 发布时间 时间:2025/9/14 15:39:55 查看 阅读:11

PUMD19,115是一款由NXP Semiconductors生产的双电压低功耗肖特基逻辑门集成电路,属于74AUP系列。该器件具有宽工作电压范围和低功耗特性,适用于需要高效能与节能的应用场景。其封装形式为SOT23-5,适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型:肖特基逻辑门
  系列:74AUP
  电源电压范围:0.8V 至 3.6V
  输出类型:肖特基二极管
  输入电压范围:0V 至 5.5V
  输出电流:最大100mA
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOT23-5

特性

PUMD19,115具有双电压操作能力,允许在不同电压域之间进行电平转换,非常适合多电压系统中的信号接口。该器件的低功耗特性使其适用于电池供电设备和便携式电子产品。肖特基二极管的设计确保了快速开关性能,降低了信号延迟,提高了系统响应速度。此外,其宽工作温度范围支持在严苛环境中稳定运行,增强了器件的可靠性。
  该芯片的输入端具有过压容限,可以安全地处理高于电源电压的信号,从而避免了额外的保护电路需求。其紧凑的SOT23-5封装形式也减少了PCB空间占用,便于高密度布局。

应用

PUMD19,115广泛应用于便携式电子设备、工业控制系统、通信模块以及消费类电子产品中,用于实现信号调节、电平转换以及接口保护等功能。其低功耗与宽电压范围的特性,使其成为电池供电设备、物联网(IoT)节点、传感器接口电路的理想选择。此外,它也可用于汽车电子系统中,提供可靠的信号处理与电平转换解决方案。

替代型号

PUMD19,115 / PUMD19/115

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PUMD19,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058904115PUMD19 T/RPUMD19 T/R-ND