FS055C223K4Z2A 是一款由知名半导体厂商生产的高性能功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换场景。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,能够有效降低系统功耗并提高整体能效。其封装形式为 TO-263(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)工艺,便于大规模自动化生产。
最大漏源电压:55V
持续漏极电流:48A
导通电阻(典型值):2.2mΩ
栅极电荷:39nC
开关时间:11ns(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
FS055C223K4Z2A 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,可实现高频操作,减小磁性元件体积。
3. 高雪崩耐量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
5. 稳定的工作性能,在极端温度条件下依然保持优异表现。
6. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的抗静电能力。
FS055C223K4Z2A 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电动工具驱动电路
3. 工业电机控制
4. 通信电源
5. 太阳能逆变器
6. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换模块
7. 电池管理系统(BMS)
IRF540N
FDP5570
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