制造商：Qorvo
　　类型：射频功率放大器模块
　　技术工艺：GaN-on-SiC
　　工作频率范围：800 MHz ~ 1000 MHz
　　输出功率（Psat）：85 dBm
　　小信号增益：约32 dB
　　电源电压（Vd）：28 V
　　漏极电流（Id）：典型值 4.5 A
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：表面贴装陶瓷封装（SCPQ）
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　热阻（Rth）：约0.35 °C/W
　　增益平坦度：±0.5 dB（带宽内）
　　谐波抑制：>15 dBc
　　回波损耗（输入）：>10 dB
　　回波损耗（输出）：>12 dB

SCPQ-85C+ 采用先进的 GaN-on-SiC 半导体工艺，赋予其卓越的高频、高功率处理能力和优异的热传导性能。GaN 材料具有宽禁带特性，允许器件在更高的电场强度下工作，从而实现更高的击穿电压和功率密度。相比传统的硅基 LDMOS 放大器，GaN 技术显著提升了功率附加效率（PAE），降低了能源消耗和散热成本，特别适合用于高容量无线通信基础设施。此外，SiC 衬底具有出色的热导率，能够有效将芯片产生的热量传导至外壳和 PCB，延长器件寿命并提高系统稳定性。
　　该器件具备高度集成的设计特点，内部包含两级放大架构与有源栅极偏置网络，简化了外部电路设计。用户无需复杂的偏置调节电路即可实现稳定的工作点设置，大幅降低了设计门槛和调试时间。其宽带匹配网络确保在整个目标频段内具有良好的输入输出匹配特性，减少了对外部调谐元件的依赖，提升了生产一致性。此外，模块内置的温度传感器和保护机制可在过热或异常工况下自动调整偏置状态，防止永久性损坏。
　　SCPQ-85C+ 在线性度方面表现出色，三阶交调失真（IMD3）优于 -30 dBc，在多载波应用中可有效抑制邻道干扰（ACPR），满足严格的通信标准要求。结合数字预失真（DPD）技术，该放大器能够在高平均功率下维持良好的信号保真度，适用于复杂调制格式如 OFDMA 和 256-QAM 的信号放大。其高增益平坦度和低群延迟波动进一步保证了宽带信号传输的质量一致性。
　　机械结构上，SCPQ-85C+ 使用高强度陶瓷封装，具备优良的气密性和机械稳定性，适用于恶劣环境下的长期运行。底部共晶焊接到 PCB 可实现高效热传导，顶部屏蔽盖设计有助于电磁兼容性（EMC）控制。所有端口均采用 RF 边沿耦合设计，便于使用标准微带线或带状线进行阻抗匹配连接。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性，是现代无线基站射频前端的理想选择。

SCPQ-85C+ 主要面向陆地移动通信系统的高功率射频放大需求，广泛应用于宏蜂窝基站、城市微蜂窝节点、室内分布系统（DAS）以及专用无线网络基础设施。它特别适用于工作在 UHF 频段（800–1000 MHz）的多载波 GSM、CDMA2000、WCDMA、TD-SCDMA、LTE-FDD/TDD 及 5G NR 通信标准中的最后一级功率放大（Final PA Stage）。在此类系统中，SCPQ-85C+ 能够驱动多个载波信号并保持高线性度，确保下行链路信号覆盖范围广且干扰水平低。
　　在广播通信领域，该模块也可用于 FM 广播发射机或数字音频广播（DAB）系统的功率放大单元，提供高保真、高稳定性的音频信号放大能力。由于其具备高效率和良好热管理特性，非常适合长时间连续运行的广播发射站使用。
　　此外，SCPQ-85C+ 还可用于公共安全通信系统（如 TETRA、P25）、军事通信设备及雷达系统中的中等脉冲功率放大任务。其高耐压和强抗负载失配能力使其在复杂电磁环境下依然能够可靠工作。科研机构亦可能将其用于粒子加速器、等离子体发生器等高能物理实验装置中的射频激励源。
　　随着 5G 扩展至低频段以增强覆盖能力，SCPQ-85C+ 凭借其在 sub-1 GHz 频段的强大输出能力和成熟的技术平台，正被越来越多地整合进新型一体化射频拉远单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中，助力运营商构建高效、节能的下一代无线网络。

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