SCMDMR5R5155QRH081723E 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,适用于高频、高效率的电源转换应用场景。该器件采用了先进的封装技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的功率密度和效率。
这款芯片特别适合用于电动汽车充电设备、数据中心服务器电源以及太阳能逆变器等对效率和可靠性要求极高的领域。
型号:SCMDMR5R5155QRH081723E
类型:GaN 功率晶体管
额定电压:650 V
额定电流:40 A
导通电阻:5.5 mΩ
开关频率:最高 5 MHz
封装形式:QFN 8x8 mm
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SCMDMR5R5155QRH081723E 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(5.5 mΩ),从而减少传导损耗并提高效率。
2. 支持高达 5 MHz 的开关频率,使得设计更小型化的电感和变压器成为可能。
3. 具备强大的热管理能力,采用 QFN 封装,有助于将热量迅速散出。
4. 内置过温保护功能,增强了器件在极端条件下的可靠性。
5. 提供了出色的抗电磁干扰性能,确保系统运行稳定。
6. 符合 RoHS 标准,环保且支持长期使用需求。
该芯片广泛应用于各种高效率电力电子设备中,例如:
1. 高频 DC-DC 转换器,用于电信基站和服务器电源。
2. 快速充电器和无线充电装置。
3. 新能源汽车充电桩中的功率模块。
4. 太阳能微逆变器及储能系统。
5. 工业自动化设备中的伺服驱动电源部分。
SCMDMR5R5155QREH081723E
SCMDMR6R5155QRH081723E