您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H9CCNNNBJTALAR

H9CCNNNBJTALAR 发布时间 时间:2025/9/3 18:24:11 查看 阅读:13

H9CCNNNBJTALAR是一款由SK海力士(Hynix)制造的高性能、低功耗LPDDR4 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片,广泛用于高端智能手机、平板电脑以及其他对内存带宽和功耗要求较高的移动设备。该型号属于LPDDR4X系列,采用先进的制造工艺,以提供更高的数据传输速率和更低的电压需求。

参数

容量:8GB(64Gb)
  类型:LPDDR4X SDRAM
  电压:1.1V / 0.6V(VDD / VDDQ)
  数据速率:4266Mbps
  封装形式:FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)
  数据宽度:x32
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:JEDEC标准LPDDR4X接口
  封装尺寸:12mm x 12mm(具体尺寸可能因批次不同略有差异)

特性

H9CCNNNBJTALAR具有多项先进特性,使其在现代移动设备中表现出色。首先,其LPDDR4X技术相比前代LPDDR4,在电压和功耗方面进一步优化,显著延长了设备的电池续航时间。其次,高达4266Mbps的数据传输速率可为移动处理器提供充足的带宽,支持高清视频播放、大型游戏和多任务处理等高负载应用场景。
  此外,该内存芯片采用差分时钟和数据选通技术,确保在高速运行下的数据完整性与稳定性。通过使用ZQ校准功能,H9CCNNNBJTALAR能够自动调节输出驱动强度,适应不同的工作条件和温度变化,从而提高系统的可靠性和兼容性。
  这款内存还具备部分阵列自刷新(Partial Array Self-Refresh,PASR)和深度电源关闭(Deep Power Down)等节能功能,进一步降低待机功耗。其封装形式为FBGA,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于紧凑型移动设备的设计需求。
  最后,H9CCNNNBJTALAR通过严格的工业标准认证,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行,适用于各种严苛环境下的电子设备。

应用

H9CCNNNBJTALAR主要应用于高端智能手机、平板电脑、高性能计算模块(如SoC开发板)以及需要大容量、低功耗内存的嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性也使其适用于人工智能加速模块、AR/VR设备及便携式游戏机等新兴智能硬件。

替代型号

H9CCNNNB8TALAR、H9HKNNNCGTAR、H9HQNNNEDPMDDAR、H9HCNNNCEPACAFR

H9CCNNNBJTALAR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价