时间：2025/9/3 18:24:11
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H9CCNNNBJTALAR是一款由SK海力士（Hynix）制造的高性能、低功耗LPDDR4 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，广泛用于高端智能手机、平板电脑以及其他对内存带宽和功耗要求较高的移动设备。该型号属于LPDDR4X系列，采用先进的制造工艺，以提供更高的数据传输速率和更低的电压需求。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4X SDRAM
电压：1.1V / 0.6V（VDD / VDDQ）
数据速率：4266Mbps
封装形式：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
数据宽度：x32
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：JEDEC标准LPDDR4X接口
封装尺寸：12mm x 12mm（具体尺寸可能因批次不同略有差异）
H9CCNNNBJTALAR具有多项先进特性，使其在现代移动设备中表现出色。首先，其LPDDR4X技术相比前代LPDDR4，在电压和功耗方面进一步优化，显著延长了设备的电池续航时间。其次，高达4266Mbps的数据传输速率可为移动处理器提供充足的带宽，支持高清视频播放、大型游戏和多任务处理等高负载应用场景。
此外，该内存芯片采用差分时钟和数据选通技术，确保在高速运行下的数据完整性与稳定性。通过使用ZQ校准功能，H9CCNNNBJTALAR能够自动调节输出驱动强度，适应不同的工作条件和温度变化，从而提高系统的可靠性和兼容性。
这款内存还具备部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh，PASR）和深度电源关闭（Deep Power Down）等节能功能，进一步降低待机功耗。其封装形式为FBGA，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于紧凑型移动设备的设计需求。
最后，H9CCNNNBJTALAR通过严格的工业标准认证，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的电子设备。
H9CCNNNBJTALAR主要应用于高端智能手机、平板电脑、高性能计算模块（如SoC开发板）以及需要大容量、低功耗内存的嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性也使其适用于人工智能加速模块、AR/VR设备及便携式游戏机等新兴智能硬件。
H9CCNNNB8TALAR、H9HKNNNCGTAR、H9HQNNNEDPMDDAR、H9HCNNNCEPACAFR
