晶体管类型：NPN双极晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　增益（hFE）：110至800（根据电流和型号等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBD9145D 具备出色的高频响应能力，适用于高速开关应用。其低饱和压降（VCE(sat)）确保了在导通状态下的低功耗表现。此外，该晶体管阵列的紧凑型SOT-23封装使其非常适合空间受限的设计。晶体管的增益（hFE）范围广泛，可根据不同应用需求选择适当的等级。MMBD9145D还具有良好的热稳定性和可靠性，适合工业级和消费类电子产品使用。
　　MMBD9145D 的设计确保了其在各种工作条件下的稳定性和一致性。其低噪声特性使其在模拟和射频应用中表现出色，同时具备较强的抗干扰能力。此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于现代环保电子产品设计。

MMBD9145D 主要应用于需要高速开关和低电压操作的电子设备中。典型应用包括数字逻辑电路、信号放大器、射频前端模块、LED驱动电路以及电源管理系统。由于其紧凑的封装和高性能特性，该晶体管阵列在通信设备、便携式电子设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
　　在射频应用中，MMBD9145D 可用于构建低噪声放大器和混频器，其高增益和低噪声特性确保了信号处理的高质量。在电源管理电路中，该晶体管可用于DC-DC转换器和稳压电路，提供高效的能量转换。此外，MMBD9145D 也可用于传感器接口电路，提供信号调理和放大功能。

BC847系列, 2N3904, MMBD9145DW