WESD5V0BW4 是一款来自 ON Semiconductor(安森美半导体)的 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变脉冲群 (EFT) 和其他过电压瞬变的影响。该器件具有低电容和快速响应时间的特点,适合高速数据线和射频线路的保护。
工作电压:5V
峰值脉冲功率:600W(@tp=10/1000μs)
反向击穿电压:5.8V
最大反向工作电压:5.0V
结电容:4pF(典型值)
响应时间:≤1ns
漏电流:1μA(最大值,@VRWM=5V)
WESD5V0BW4 具有以下主要特性:
1. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压波动。
2. 极低的电容值,使其非常适合高速信号线路的应用。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC61000-4-2 标准(接触放电±15kV,空气放电±15kV)。
4. 小型化封装(DFN1006-2),有助于节省 PCB 空间。
5. 无铅设计,符合 RoHS 和绿色标准。
6. 宽温范围支持(-55°C 至 +150°C),确保在各种环境下的稳定性。
WESD5V0BW4 广泛应用于需要高速信号保护的领域,包括:
1. USB 接口保护。
2. HDMI、DisplayPort 等高速视频接口防护。
3. 无线通信设备中的射频前端保护。
4. 移动设备和消费类电子产品中的天线端口防护。
5. 工业自动化控制系统的信号线路保护。
6. 汽车电子系统中对敏感元件的保护。
PESD5V0X1BS, SMAJ5.0A, SMBJ5.0CA