电容：22μF
　　容差：±10%
　　额定电压：6.3V DC
　　封装尺寸：0805 (2012公制)
　　电介质：X5R或X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　绝缘电阻：1000MΩ min
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　RoHS符合性：是

TMCP0G226KTRF 是一款高性能的多层陶瓷电容器，具备良好的温度稳定性和低损耗特性。该器件在-55°C至+85°C的温度范围内保持稳定的电容值，适合在宽温环境下使用。由于采用了先进的陶瓷材料和制造工艺，该电容器在高频下表现出优异的阻抗特性，能够有效降低电源噪声和信号干扰。此外，该器件具有良好的抗湿性和抗老化能力，确保在长时间使用中保持稳定的电气性能。其低ESR特性有助于提高电源效率，减少发热，适用于高密度电路设计和便携式电子产品。
　　在机械强度方面，TMCP0G226KTRF 采用坚固的端子结构，能够承受较高的机械应力，适用于自动化贴片生产和回流焊工艺。该电容器还符合RoHS环保标准，不含有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。

TMCP0G226KTRF 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高稳定性和低ESR特性的场合。常见的应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、数码相机等消费电子产品中的电源管理电路和DC-DC转换器。此外，该电容器也常用于工业控制设备、传感器模块、LED照明系统以及汽车电子系统的电源去耦和滤波电路中。在通信设备中，TMCP0G226KTRF 也可用于射频模块和基带处理单元的旁路和滤波应用。

GRM21BR61C226KE05#L2
　　CL21B226KBQNNNE
　　KRM21BR61C226KE05K