型号：SCH2401-S-TL-E
　　类型：SiC肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值1.5V @ 1A
　　反向漏电流（IR）：最大200μA @ 25°C, 最大10mA @ 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：0ns（无反向恢复电荷）
　　热阻结至环境（RθJA）：约450°C/W（依PCB设计而定）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（单半波，60Hz）

SCH2401-S-TL-E采用先进的碳化硅（SiC）半导体材料，具备卓越的电气和热性能。其最显著的特性之一是零反向恢复电荷，这意味着在高频开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统效率。该特性特别适用于高频率工作的DC-DC转换器、PFC电路和逆变器等拓扑结构。由于没有反向恢复行为，系统的热管理更为简单，有助于减小散热器尺寸或实现无风扇设计。
　　该器件的正向压降较低，在1A电流下典型值仅为1.5V，结合其高击穿电压能力（650V），可在宽负载范围内保持高能效。尽管SiC二极管的正向压降略高于某些超结MOSFET体二极管，但其在高温下的稳定性远胜于硅器件。随着结温升高，反向漏电流虽有所增加，但仍处于可控范围，且不会引发热失控，这得益于SiC材料优异的热导率和宽禁带特性。
　　SCH2401-S-TL-E支持高达+175°C的最大工作结温，允许其在高温环境中长期稳定运行，适用于车载电子、工业电源和户外电力设备等应用场景。其SOD-123FL小型化封装不仅节省PCB空间，还优化了寄生电感和热传导路径，进一步提升了高频性能和可靠性。此外，该器件具有较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复浪涌电流，增强了系统对瞬态过载的容忍度。整体而言，SCH2401-S-TL-E凭借其高效、高可靠性和紧凑设计，成为现代高功率密度电源系统中的理想选择。

SCH2401-S-TL-E广泛应用于需要高效率和高频率操作的电力电子系统中。其典型应用包括功率因数校正（PFC）电路，特别是在升压PFC拓扑中作为升压二极管使用，能够显著降低开关损耗并提高整体电源效率。在AC-DC和DC-DC开关电源中，该器件可用于输出整流级，尤其适用于通信电源、服务器电源和消费类适配器等对能效和体积有严格要求的产品。
　　在可再生能源领域，SCH2401-S-TL-E被用于光伏（PV）逆变器中的续流或隔离二极管，利用其快速响应和低损耗特性来提升能量转换效率。在电动汽车（EV）相关系统中，如车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，该器件能够在高温环境下稳定运行，满足汽车级可靠性要求。
　　此外，该二极管也适用于工业电机驱动、UPS不间断电源、LED驱动电源以及各类高频感应加热设备。由于其表面贴装封装形式，适合自动化贴片生产，便于大规模制造。其小型化设计也有助于实现高功率密度电源模块的开发，适应现代电子产品向轻薄化、集成化发展的趋势。

SCH2401-S-TL-E