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SCDS6D38MT7R4 发布时间 时间:2025/12/26 2:43:20 查看 阅读:10

SCDS6D38MT7R4是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用先进的平面技术制造,专为高密度、高性能的电源管理与信号处理应用设计。该器件集成了多个肖特基二极管,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。SCDS6D38MT7R4采用紧凑型PowerPAD?封装(SOT-23-6L变体),具备优良的散热性能,适合在空间受限的PCB布局中使用。该器件广泛应用于便携式电子设备、电源保护电路、ESD防护、信号整流以及I/O端口保护等领域。其结构设计优化了热传导路径,增强了长期运行的可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品。由于其低漏电流和高反向击穿电压,SCDS6D38MT7R4能够在较宽温度范围内稳定工作,适应严苛的工作环境。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管阵列
  封装/外壳:SOT-23-6L(PowerPAD)
  通道数:双通道
  最大正向电流(If):300 mA
  峰值重复反向电压(VRRM):38 V
  最大直流反向电压(VR):38 V
  最大正向电压(VF):0.55 V @ 10 mA
  最大反向漏电流(IR):100 nA @ 25°C, 38 V
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):200 °C/W(典型值)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:6
  湿度敏感等级(MSL):1级(车间寿命无限)
  无铅状态:符合RoHS,无卤素

特性

SCDS6D38MT7R4的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,通常在0.55V左右(在10mA条件下),显著降低了功率损耗,提高了系统整体效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备中的电源路径管理,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,在这些应用中,延长续航时间至关重要。同时,该器件具备快速恢复能力,反向恢复时间极短,几乎可以忽略不计,因此能有效抑制高频开关噪声,提升信号完整性。
  该器件内部集成两个独立的肖特基二极管,配置灵活,可用于双路信号整流、电压钳位或双向ESD保护。其38V的反向耐压能力足以应对大多数低压电源系统的瞬态过压事件,包括热插拔操作和电感负载切换引起的电压尖峰。此外,低至100nA的反向漏电流确保了在待机或低功耗模式下不会产生明显的静态功耗,有助于满足严格的能效标准。
  PowerPAD封装不仅减小了整体尺寸,还通过底部裸露焊盘实现高效的热传导,将芯片产生的热量迅速传递至PCB地层,从而降低热阻,提升功率处理能力和长期可靠性。这种设计尤其适合高密度布局和小型化终端产品。器件的工作结温可达+150°C,表明其具备良好的高温稳定性,可在恶劣环境下可靠运行。所有材料均符合环保法规要求,支持绿色制造流程。

应用

SCDS6D38MT7R4常用于多种电子系统中,尤其是在需要高效能、小体积和高可靠性的场合。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关与电池充电管理电路,用于防止反向电流流动并提供输入过压保护。在USB接口、HDMI端口和其他高速数据线路上,该器件可用作ESD静电放电保护元件,吸收IEC 61000-4-2标准规定的±15kV空气放电和±8kV接触放电级别的瞬态能量,保护敏感的后级IC不受损害。
  此外,它也广泛应用于DC-DC转换器的输出整流环节,利用其低VF特性减少整流损耗,提高转换效率。在传感器信号调理电路中,可用于信号钳位和防反接保护。工业控制模块、通信设备和嵌入式系统中也常见其身影,执行电源轨间的隔离与优先选择功能,例如主辅电源自动切换。由于其出色的高频响应能力,还可用于高频信号检波和包络检测等模拟信号处理任务。总之,凡是在低压、高频、高效率需求的场景下,SCDS6D38MT7R4都是一个理想的选择。

替代型号

SCDS6D38MT7R2

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