B82498F3221G 时间：2025/12/27 12:08:30 阅读：9

B82498F3221G是TDK公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），专为高频率、高稳定性和低损耗的应用场景设计。该器件属于爱普科斯（EPCOS）产品线，广泛应用于通信设备、工业电子、汽车电子以及消费类电子产品中。B82498F3221G具有优异的电气性能和可靠性，适合在严苛环境条件下长期稳定工作。其结构采用先进的陶瓷介质与内电极交错堆叠工艺，实现小型化封装的同时保持良好的电容稳定性与高频响应能力。
　　该型号电容器符合RoHS环保标准，无铅且兼容回流焊工艺，适用于自动化表面贴装生产线。凭借TDK在电子材料领域的深厚积累，B82498F3221G在温度特性、容值精度和耐电压方面表现出色，是许多高端电路设计中的首选被动元件之一。

参数

电容：2.2nF
　　容差：±1%
　　额定电压：250V
　　温度系数：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　介质材料：Ceramic (C0G/NP0)
　　直流偏压特性：无容量随电压变化
　　绝缘电阻：≥100GΩ
　　ESR（等效串联电阻）：典型值<10mΩ
　　ESL（等效串联电感）：典型值<0.5nH
　　老化率：0%/decade
　　磁性：非磁性
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　可焊性：符合IEC 60068-2-20标准

特性

B82498F3221G采用C0G（也称NP0）陶瓷介质，具备极高的电容稳定性，其电容值几乎不随温度、电压或时间的变化而发生漂移。在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容变化不超过±30ppm/°C，确保了在极端环境下的精准性能表现。这种材料体系决定了它特别适用于对相位噪声、信号失真和频率稳定性要求极高的射频（RF）、振荡器和滤波电路中。
　　该器件的容差控制在±1%，远高于普通J级（±5%）电容器，能够满足精密模拟电路对元件一致性的严苛要求。同时，由于C0G材料本身是非铁电性的，不存在X7R、X5R等高介电常数材料常见的直流偏压效应，即施加电压后电容量不会下降，从而保证了电路参数在整个工作电压范围内的可预测性和稳定性。
　　B82498F3221G具备250V的额定电压，使其能够在中高压信号耦合、电源去耦和脉冲电路中安全运行。结合其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），该电容器在高频下仍能保持接近理想的阻抗特性，有效抑制噪声并提升电源完整性。此外，其老化率为零，意味着即使在长时间使用后也不会出现容量衰减问题，极大增强了系统的长期可靠性。
　　机械结构上，该器件采用标准0805表面贴装封装，兼容主流SMT生产工艺，并通过严格的可焊性测试，确保回流焊接过程中润湿良好、虚焊风险低。其端电极为镍/锡镀层，提供良好的导电性和抗氧化能力，适用于多种环境条件下的长期运行。整体设计兼顾了高性能与制造便利性，是现代高密度PCB布局中的理想选择。
　　综上所述，B82498F3221G是一款集高稳定性、高精度、高耐压和高频特性于一体的高端MLCC，在需要长期可靠性和电气性能一致性的关键应用中具有不可替代的优势。

应用

B82498F3221G因其卓越的电性能和稳定性，被广泛用于多个高要求的技术领域。在射频（RF）电路中，常用于匹配网络、滤波器和谐振电路，以确保信号传输的准确性和最小相位失真。其C0G特性和低损耗使其成为VCO（压控振荡器）、PLL（锁相环）和LC谐振电路的理想选择。
　　在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、ADC/DAC参考电压旁路和采样保持电路，该电容器可有效防止因温度或时间引起的漂移，提高系统测量精度。其无老化特性也使其适用于医疗电子、测试仪器和数据采集系统等对长期稳定性要求极高的设备。
　　在工业控制系统中，B82498F3221G可用于传感器信号调理电路、隔离放大器输入端滤波以及高速数字接口的EMI抑制。其250V额定电压支持在工业现场常见的较高电平信号环境中稳定工作。
　　汽车电子方面，该器件符合AEC-Q200标准（需确认具体批次是否通过认证），可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中的去耦与滤波电路，适应宽温变化和振动环境。
　　此外，在通信基础设施如基站、光纤收发模块和路由器中，该电容器用于高速信号路径的交流耦合与去耦，保障信号完整性和系统稳定性。其高频响应能力和低寄生参数有助于减少信号反射和串扰。