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GA1206Y822MBLBR31G 发布时间 时间:2025/7/9 13:19:45 查看 阅读:20

GA1206Y822MBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能,非常适合需要高效能和高可靠性的电子设备。
  这款芯片在设计上优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡,从而提高了整体系统效率并降低了功耗。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):2.2mΩ
  ID(连续漏极电流):94A
  Qg(总栅极电荷):45nC
  fT(特征频率):1.7MHz
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.2V~4.0V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

GA1206Y822MBLBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),仅为 2.2mΩ,能够显著降低传导损耗。
  2. 高连续漏极电流能力,高达 94A,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,总栅极电荷较低,有助于减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 先进的封装技术提供了良好的散热性能,适合长时间稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
  2. 电动工具、家电产品中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  4. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器和电池管理系统。
  5. LED 照明驱动电路中的功率管理部分。
  6. 各类高性能功率转换模块和逆变器。

替代型号

IRF7736PbF, AO6800

GA1206Y822MBLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-