GA1206Y822MBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能,非常适合需要高效能和高可靠性的电子设备。
这款芯片在设计上优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡,从而提高了整体系统效率并降低了功耗。
类型:功率 MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):2.2mΩ
ID(连续漏极电流):94A
Qg(总栅极电荷):45nC
fT(特征频率):1.7MHz
VGS(th)(栅极阈值电压):2.2V~4.0V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
GA1206Y822MBLBR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),仅为 2.2mΩ,能够显著降低传导损耗。
2. 高连续漏极电流能力,高达 94A,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,总栅极电荷较低,有助于减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,确保在极端环境下的可靠性。
5. 先进的封装技术提供了良好的散热性能,适合长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. 电动工具、家电产品中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器和电池管理系统。
5. LED 照明驱动电路中的功率管理部分。
6. 各类高性能功率转换模块和逆变器。
IRF7736PbF, AO6800