时间：2025/10/6 22:20:35
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UPS2F4R7MPD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的硅 carbide（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具有优异的电气性能，特别适用于高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用。碳化硅材料相较于传统的硅基半导体，具备更高的热导率、更大的禁带宽度以及更高的击穿电场强度，因此能够显著降低器件在导通和关断过程中的能量损耗，提升系统整体能效。UPS2F4R7MPD的命名中，'4R7'通常表示其反向耐压为4700V，而'MPD'可能代表其封装形式或产品系列，表明其为高电压等级的功率二极管。该器件无内部反并联体二极管，属于单向整流结构，主要用于高压直流链路中的整流、续流以及能量回馈等场景。由于其零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性，该二极管在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗，也不会引发电磁干扰（EMI）问题，是现代高效电源系统如光伏逆变器、工业电机驱动、高压DC-DC变换器和不间断电源（UPS）等的理想选择。
类型：碳化硅肖特基二极管
配置：单芯片
反向重复峰值电压（VRRM）：4700 V
平均正向电流（IF(AV)）：2 A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：60 A
最大正向电压降（VF）：1.7 V @ 2 A
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
反向漏电流（IR）：10 μA @ 25°C, 4700V；典型值随温度升高而增加
封装类型：TO-220AC 或类似通孔封装
热阻结到外壳（RθJC）：约 20 °C/W（具体值参考数据手册）
安装扭矩：0.8 N·m（推荐）
碳化硅（SiC）材料赋予了UPS2F4R7MPD卓越的高温稳定性和高压耐受能力。其宽禁带结构（~3.2 eV）使得器件在室温下几乎不产生本征载流子，从而极大降低了反向漏电流，并支持高达175°C的工作结温。这使得该二极管能够在传统硅二极管无法胜任的高温环境中长期可靠运行，减少了对复杂散热系统的需求。此外，由于其肖特基势垒结构，UPS2F4R7MPD在正向导通时仅依靠多数载流子（电子）传输电流，不存在少数载流子的存储效应，因此在反向偏置切换时不会出现反向恢复现象。这意味着其反向恢复电荷（Qrr）接近于零，消除了因反向恢复引起的开关损耗和电压尖峰，提升了系统的转换效率并降低了电磁干扰（EMI）。这一特性在高频开关电源中尤为重要，可显著减小滤波元件的体积与成本。
该器件还具备出色的动态稳定性，在快速dv/dt变化下仍能保持良好的关断性能，避免误触发或振荡。其坚固的封装设计提供了良好的机械强度和热传导路径，适合在工业级严苛环境下使用。此外，UPS2F4R7MPD具有较高的抗辐射能力和长期可靠性，适用于太阳能发电系统、电动汽车充电设施及高压工业电源等关键应用场景。通过优化金属-半导体接触工艺，该二极管实现了低且稳定的正向压降（典型1.7V @ 2A），有助于减少导通损耗，尤其在轻负载条件下表现优于传统PIN二极管。整体而言，该器件结合了高压、高温、高频和高效率的优势，是现代绿色能源与高效电力转换系统的核心组件之一。
UPS2F4R7MPD广泛应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括高压直流电源的输出整流级，特别是在大功率开关电源（SMPS）和通信电源中作为主整流二极管使用。在光伏发电系统中，它可用于组串式或集中式逆变器的升压（Boost）级续流二极管，利用其零反向恢复特性提高逆变效率并降低热应力。在不间断电源（UPS）系统中，该器件用于DC-AC逆变桥臂的续流路径，确保在高频切换过程中实现平滑的能量回馈。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）电路中，UPS2F4R7MPD可用作升压二极管，以支持高输入电压等级和高效率运行。工业电机驱动器中的制动单元或再生能量回馈电路也常采用此类高压SiC二极管来处理反向能量流动。同时，该器件适用于高压DC-DC变换器，如用于数据中心供电的LLC谐振转换器或移相全桥拓扑中的副边整流环节。由于其出色的温度稳定性，也可用于航空航天、石油勘探设备等极端环境下的电源模块设计。
UF3C47047K1
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