LEM2520TR27J 时间：2025/12/27 9:49:58 阅读：19

LEM2520TR27J是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换系统中。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、导通电阻低、开关速度快等特点，适合在便携式电子设备和高密度PCB布局中使用。LEM2520TR27J的设计兼顾了效率与可靠性，在同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电系统中表现出色。其栅极阈值电压适中，能够兼容3.3V和5V逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或其他数字控制单元直接接口。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗瞬态能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费类电子产品及通信设备等应用场景。产品在制造过程中遵循环保标准，为无铅（Pb-free）器件，符合RoHS指令要求，适合现代绿色电子产品的设计需求。

参数

型号：LEM2520TR27J
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：2.5A
　　脉冲漏极电流（Idm）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=2.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.7V ~ 1.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

特性

LEM2520TR27J的核心优势在于其低导通电阻与小型化封装的结合，这使得它在空间受限但对效率要求较高的应用中极具竞争力。其27mΩ的典型Rds(on)值在同类SOT-23封装N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于显著降低导通损耗，提高整体系统能效。该器件的低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）也使其具备快速开关响应能力，适用于高频开关电源设计，如用于移动设备中的同步降压变换器。由于其最大漏源电压为20V，主要适用于低电压功率管理场景，例如锂电池供电系统（3.7V~12V）中的开关控制。
　　该MOSFET的热性能经过优化设计，在SOT-23封装条件下仍可实现较好的散热效果，确保在持续负载下保持稳定运行。其-55℃至+150℃的工作结温范围表明其具备较强的环境适应性，可在严苛工业环境下可靠工作。此外，LEM2520TR27J的栅极驱动电压兼容性强，支持从2.5V到4.5V范围内的有效导通，因此不仅可用于传统的5V系统，也可直接由现代低电压微处理器GPIO引脚驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的生产测试流程，具备良好的抗静电（ESD）能力和长期稳定性。其无铅环保封装符合当前主流电子制造的环保规范，适用于自动化贴片生产工艺，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式。综合来看，LEM2520TR27J是一款高性能、高性价比的通用型功率MOSFET，特别适合用于需要高效、紧凑设计的低压大电流开关应用场合。