时间：2025/7/12 17:03:46
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MA0402CG221F250是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片通常用于工业控制、消费电子以及通信设备中的功率转换和驱动场景。
型号：MA0402CG221F250
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：27W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg)：18nC（典型值）
反向恢复时间(trr)：36ns（最大值）
MA0402CG221F250具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻(2.2mΩ)，可以减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高击穿电压(40V)，确保在高压环境下的可靠运行。
3. 快速开关性能，适用于高频应用场合。
4. 小型化的TO-252封装设计，适合空间受限的应用场景。
5. 工作温度范围宽广(-55°C至+150°C)，适应各种极端环境条件。
6. 内置ESD保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. LED照明驱动。
4. 消费类电子产品中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
7. 通信设备中的功率管理单元。
MA0402CG221F200
IRLZ44N
FDP5570
AO3400
