时间：2025/9/2 9:03:11
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H27UAG8T2MTR是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，广泛应用于嵌入式存储设备、固态硬盘（SSD）以及移动设备中。这款NAND闪存芯片采用TTR封装形式，容量为8Gbit（1GB），属于SLC（单层单元）NAND闪存，具有较高的可靠性和读写速度。H27UAG8T2MTR以其低功耗、高稳定性和广泛兼容性，在消费类电子产品和工业级应用中得到了广泛应用。
容量：8Gbit
封装类型：TTR
接口类型：ONFI 1.0
电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
工艺制程：约40nm
存储类型：SLC NAND Flash
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
H27UAG8T2MTR是一款高性能、低功耗的SLC NAND闪存芯片，适用于多种嵌入式系统和存储解决方案。该芯片采用标准ONFI 1.0接口，兼容多种主控芯片，便于系统集成。其SLC架构相较于MLC或TLC NAND提供了更高的数据可靠性和更长的擦写寿命，适合对数据完整性要求较高的应用环境。此外，H27UAG8T2MTR支持较宽的电压范围（2.7V至3.6V），具备良好的抗干扰能力和稳定性，可在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）正常工作，适用于严苛环境下的设备设计。
该芯片的封装形式为TTR（Tape封装），适用于空间受限的PCB布局，便于自动化生产和组装。其读取速度最高可达50MB/s，写入速度可达20MB/s，满足一般嵌入式设备对存储速度的需求。此外，H27UAG8T2MTR还支持坏块管理、ECC（错误校正码）功能，确保数据的完整性和稳定性。这些特性使得该芯片在智能手机、平板电脑、车载导航系统、工业控制设备和物联网终端中具有广泛的应用前景。
H27UAG8T2MTR主要应用于嵌入式系统、移动设备和工业级电子产品。其常见的使用场景包括智能手机的辅助存储、平板电脑的固件存储、车载导航系统的操作系统存储、工业控制设备的程序存储以及物联网终端的本地数据缓存。由于其SLC架构带来的高可靠性和较长的擦写寿命，该芯片也常用于需要频繁写入和读取数据的工业应用，例如POS机、智能电表、医疗设备和安防监控设备等。此外，该NAND芯片也可用于低端SSD、U盘和SD卡等便携式存储设备，满足对存储容量和稳定性有一定要求的应用。
H27UAG8T2BTR, H27UCG8T2ATR, H27UCG8T2BTR
