时间:2025/12/26 0:32:38
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SCDS5D18NT2R6是一款由Vishay Semiconductor Diodes Division生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用先进的平面技术制造,专为高效率、高频整流应用而设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SC-70(SOT-723)小型化封装中,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。SCDS5D18NT2R6的最大重复反向电压(VRRM)为20V,最大平均整流电流(IF(AV))为500mA,使其非常适合用于便携式电子设备中的电源管理电路。该二极管符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-Free)和符合JEDEC MS-012标准的可靠焊接性能。其结构优化了热传导路径,提高了功率密度与长期运行稳定性,在消费类电子产品、通信设备及电池供电系统中广泛应用。
型号:SCDS5D18NT2R6
类型:肖特基势垒二极管
封装形式:PowerPAK SC-70 (SOT-723)
最大重复反向电压 VRRM:20V
最大直流阻断电压 VR:20V
最大平均整流电流 IF(AV):500mA
峰值非重复浪涌电流 IFSM:8A
最大正向电压降 VF @ IF=500mA:最大1.0V
典型正向电压降 VF @ IF=500mA:约0.84V
最大反向漏电流 IR @ VR=20V, TA=25°C:50μA
最大反向漏电流 IR @ VR=20V, TA=85°C:500μA
工作结温范围 TJ:-55°C 至 +150°C
存储温度范围 TSTG:-55°C 至 +150°C
热阻结到环境 RθJA:约350°C/W
安装方式:表面贴装
引脚数:2
极性:单系列阳极阴极配置
湿度敏感等级(MSL):1级(260°C回流)
符合标准:RoHS、无卤素、符合JESD201和JESD51系列热测试标准
SCDS5D18NT2R6采用了成熟的平面肖特基技术,实现了极低的正向导通压降与高效的能量转换性能。其核心优势之一是能够在低输入电压条件下显著减少功率损耗,这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间并提升整体能效。
该器件在额定电流500mA下的典型正向压降低至0.84V,远低于传统PN结二极管,从而有效降低了发热和系统温升。同时,由于肖特基二极管本身属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的反向恢复速度(trr < 5ns),几乎无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0C),极大地减少了开关过程中的动态损耗,特别适合高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及防止倒灌电流的应用场合。
PowerPAK SC-70封装是一种超小型表面贴装封装,尺寸仅为1.0mm x 1.0mm x 0.55mm,极大节省PCB布局空间,适用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等高度集成化的电子产品。尽管体积微小,但该封装通过优化金属焊盘设计增强了散热能力,确保在持续负载下仍能保持稳定工作温度。
此外,SCDS5D18NT2R6具有良好的热稳定性与可靠性,在高温环境下(如85°C)反向漏电流控制在500μA以内,避免因漏电增加而导致系统待机功耗上升。器件还通过AEC-Q101汽车级认证的部分应力测试项目,具备一定的工业级应用潜力。
生产过程中采用无铅回流焊工艺兼容设计,支持自动化高速贴片组装,提升了制造效率与良品率。整体结构经过严格老化筛选和湿度敏感性评估(MSL=1),可在严苛环境中长期稳定运行,满足现代电子产品对小型化、高效率和高可靠性的综合需求。
SCDS5D18NT2R6广泛应用于各类需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式移动设备中的电源路径管理,例如在锂电池充电电路中作为防反接或防止电池反向放电的隔离二极管;也可用于USB供电接口的输出侧以防止外部电源倒灌影响内部电源轨。
在DC-DC转换电路中,该器件常被用作次级侧整流元件,尤其是在非同步降压或升压拓扑中替代传统快恢复二极管,利用其低VF特性提高转换效率,减少热量积累,进而简化散热设计甚至省去散热片。
此外,它也适用于信号整流、电压钳位保护、瞬态电压抑制辅助电路以及各类低电压逻辑电平隔离场景。在无线充电接收模块、智能手表电源管理单元、IoT传感器节点等空间极其有限的设计中,SCDS5D18NT2R6凭借其微型封装和优良电气性能成为理想选择。
工业控制领域的小功率电源适配器、LED驱动电路中的续流二极管、以及嵌入式微控制器系统的电源切换电路也能从中受益。由于其快速响应能力和稳定的温度特性,还可用于高频脉冲检测电路或采样保持电路中的关键整流环节。
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"BAS40-02W",
"PMG4102U",
"DMG2302UK",
"FMMT402TA",
"ZMM20"
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