类型：射频晶体管
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：NPN
　　最大工作频率：8GHz
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：15V
　　最大功耗：300mW
　　封装类型：SOT-363
　　增益：18dB@1GHz
　　噪声系数：1.2dB@1GHz

RF8028TR13-5K具备多项先进的技术特性，确保其在射频应用中的卓越性能。首先，该器件具有高增益特性，典型增益值为18dB，在1GHz频率下表现尤为出色，使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）和驱动放大器应用。
　　其次，RF8028TR13-5K的噪声系数仅为1.2dB，这使其在高频段能够保持较低的噪声水平，从而提高系统的信噪比和整体性能。这种低噪声特性对于无线通信系统、射频接收机和测试设备尤为重要。
　　此外，该晶体管采用先进的硅双极工艺制造，具有良好的线性度和稳定性。其高线性度使得RF8028TR13-5K适用于多载波和宽带应用，能够有效减少信号失真，提升通信质量。
　　RF8028TR13-5K采用SOT-363封装，具有小尺寸和轻量化的特点，便于在高密度PCB布局中使用。其封装设计也提供了良好的热稳定性和机械可靠性，确保在不同工作环境下都能保持稳定的性能。
　　最后，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的耐温性能，适用于各种严苛环境下的应用。

RF8028TR13-5K广泛应用于多个高性能射频系统中，特别是在需要高增益、低噪声和良好线性度的场合。例如，该器件常用于无线基站、微波通信设备、卫星通信系统和射频测试仪器中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器电路。
　　在无线通信领域，RF8028TR13-5K可用于构建高性能的接收前端，提升信号接收的灵敏度和稳定性。此外，其优异的线性度和高频特性使其在Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线连接技术中也有广泛的应用。
　　在工业和测试设备中，该晶体管可用于构建宽带放大器、频率合成器和射频信号发生器等关键模块。其小尺寸封装和高可靠性也使其成为便携式通信设备和无人机通信系统中的理想选择。
　　除此之外，RF8028TR13-5K还适用于各种射频识别（RFID）系统、雷达探测设备和医疗电子设备中的射频信号处理模块。

BFU520W, BFP420, ATF-54143