时间：2025/9/14 20:06:48
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2N7002/HAMR 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路和逻辑电平转换等场合。该器件由 ON Semiconductor 生产，采用 SOT-23 封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于小型电子设备和便携式电子产品中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：115mA（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：约 5Ω（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 3V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
2N7002/HAMR 具备多个关键特性，使其在电子设计中广泛使用。首先，它具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其次，其栅极驱动电压范围较宽，允许在多种逻辑电平下工作，因此适用于不同类型的控制电路。此外，该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，体积小、重量轻，适合高密度 PCB 设计。该器件还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作。最后，其高速开关特性使其适用于 PWM 控制、负载开关和信号切换等应用。
在实际应用中，2N7002/HAMR 能够承受一定的电压和电流波动，具有较强的抗干扰能力。同时，由于其静态电流较低，因此在待机状态下功耗较小，有助于提高系统的能效。综合来看，2N7002/HAMR 是一款性价比高、适用性广的 MOSFET 器件。
2N7002/HAMR 主要用于低功率开关电路、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器驱动、电源管理电路以及微控制器外围电路等应用场景。它常用于便携式设备、消费电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中。例如，在嵌入式系统中，该 MOSFET 可用于控制外设电源的开启与关闭，实现节能管理；在数字电路中，它可用于高低电平之间的信号转换，提高驱动能力；在电池供电设备中，它可以作为负载开关，用于断开不使用的模块以降低功耗。此外，该器件也可用于保护电路中的过流或过压保护功能。
2N7000, 2N7002K, BSS138
