类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4A（在 Vgs=4.5V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

UN2112R 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道 MOSFET，适用于高效率电源转换和开关电路。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率，尤其在电池供电设备中显得尤为重要。该器件支持高达 4A 的连续漏极电流，能够在较高的负载条件下稳定工作。UN2112R 采用 SOT-23 小型封装，节省空间，适用于高密度 PCB 布局。此外，该 MOSFET 具有快速的开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽（±12V），兼容多种驱动电路，便于设计和集成。
　　UN2112R 在热性能方面表现出色，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。该器件还具备良好的短时过载能力，能够在瞬态负载条件下提供可靠的性能。ROHM 在该器件的设计中采用了先进的硅工艺和封装技术，确保其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。UN2112R 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少驱动损耗。此外，该器件具有良好的抗静电能力，能够承受一定的静电冲击，提高了在生产、组装和使用过程中的可靠性。
　　总的来说，UN2112R 是一款适用于多种电源管理和开关应用的高性能 MOSFET，具备低导通电阻、高电流能力、快速开关速度和良好的热稳定性等特点。其小型封装和宽工作温度范围使其特别适合在便携式设备、电源管理模块、DC-DC 转换器和负载开关等应用中使用。

UN2112R 主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池保护电路以及各种需要高效开关的电子设备中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合在需要高效能和紧凑设计的系统中使用。

Si2302DS, 2N7002K, BSS138