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HY62S16256EU-55LLI 发布时间 时间:2025/9/2 4:53:50 查看 阅读:8

HY62S16256EU-55LLI 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用异步设计,容量为256K位(16K x 16位),采用55ns访问速度。该芯片适用于需要高速存储和低延迟访问的应用场景,如网络设备、工业控制、通信系统等。该器件采用TSOP封装,适用于工业级温度范围,具有良好的稳定性和可靠性。

参数

容量:256Kbit(16K x 16)
  访问时间:55ns
  工作电压:3.3V 或 5V(视具体型号)
  封装类型:TSOP
  温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  数据宽度:16位
  工作模式:异步
  输入/输出电平:TTL/CMOS兼容
  最大工作频率:约18MHz(基于访问时间计算)
  封装引脚数:54pin

特性

HY62S16256EU-55LLI 是一款高性能异步SRAM芯片,具有快速访问时间和广泛的工业应用适应性。
  该芯片的访问时间为55纳秒,使得它能够在高速数据处理系统中提供稳定的性能。其异步操作模式意味着其读写操作不依赖于时钟信号,从而简化了接口设计并提高了系统的灵活性。由于其支持3.3V或5V的供电电压,HY62S16256EU-55LLI可以在多种系统环境中使用,具备良好的兼容性。
  该SRAM芯片的16位数据宽度支持并行数据传输,适合需要大吞吐量数据处理的应用,例如高速缓存、图像处理、工业控制器等。此外,该芯片采用TSOP封装形式,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适用于空间受限的设计环境。
  在工作温度方面,HY62S16256EU-55LLI 支持-40°C至+85°C的工业级温度范围,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,因此广泛应用于工业自动化、通信设备、嵌入式系统等领域。其TTL/CMOS兼容的输入/输出电平也增强了与各种微处理器和控制器的匹配性,简化了系统集成过程。
  作为一款标准异步SRAM,HY62S16256EU-55LLI 在系统设计中易于使用,无需复杂的时序控制逻辑,降低了设计复杂度并提高了系统的可靠性。它在需要高速、低延迟存储访问的场合中表现出色,是许多高性能嵌入式系统和工业设备的理想选择。

应用

HY62S16256EU-55LLI 主要用于对存储速度和稳定性要求较高的应用场景。常见的应用包括工业控制系统的高速缓存、嵌入式设备的数据缓冲、通信设备中的协议处理、网络交换设备的数据暂存、测试仪器的数据采集与处理、医疗设备中的图像存储以及各类需要高速异步存储的微处理器系统。
  由于其低功耗设计和宽温工作范围,HY62S16256EU-55LLI 也非常适合用于户外设备和远程监控系统,如智能交通系统、安防监控设备、远程通信模块等。此外,该芯片还可用于消费类电子产品中对实时性要求较高的模块,如高端音频处理设备、游戏机外围设备等。
  在自动化设备中,该SRAM芯片可用于PLC控制器的临时数据存储、机器人控制系统的实时数据缓存等场景。由于其接口简单且不需要复杂的时钟同步逻辑,因此在需要快速开发和部署的项目中具有明显优势。

替代型号

ISSI: IS61LV25616-55TLI, Alliance: AS6C25616C-55SIN, Cypress: CY62167EV30LL-55B4I, Renesas: IDT71V128SA-55SCI

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