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H5PS2562GFR-Y5J 发布时间 时间:2025/9/1 13:36:16 查看 阅读:8

H5PS2562GFR-Y5J 是由SK hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM芯片。该芯片属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率4代)内存技术标准,适用于需要高速数据处理和低功耗设计的设备,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子产品。该封装为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),具备2GB容量,适合高密度内存应用。

参数

容量:2GB
  内存类型:LPDDR4 SDRAM
  封装类型:FBGA
  数据速率:256Mbps(具体取决于时钟频率)
  工作电压:1.1V/1.8V(双电压供电)
  数据宽度:16位
  时钟频率:1333MHz
  工作温度范围:-40°C至85°C
  封装尺寸:100-ball FBGA

特性

H5PS2562GFR-Y5J 具备多项显著特性,首先是其采用的LPDDR4技术,提供了比前代LPDDR3更高的数据传输速率和更低的功耗。该芯片支持高速数据传输,适用于需要高性能内存的移动设备和嵌入式系统。此外,它采用了双电压供电(1.1V核心电压和1.8V I/O电压),在保证高速运行的同时有效降低了能耗,延长了设备的电池续航时间。
  其次,H5PS2562GFR-Y5J 采用100-ball FBGA封装,具有较小的封装尺寸和较高的封装密度,非常适合空间受限的便携式电子设备。其封装设计也增强了芯片的散热性能和电气性能,提升了整体系统的稳定性和可靠性。
  该芯片还具备宽温度范围的工作能力(-40°C至85°C),适用于各种复杂的工作环境,包括工业级应用场景。此外,它支持多种刷新模式和低功耗模式(如预充电功率下降模式、自刷新模式等),可以根据系统需求动态调整功耗,进一步优化能效。

应用

H5PS2562GFR-Y5J 主要应用于需要高性能和低功耗内存的电子产品中,包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息系统、工业控制设备、便携式医疗设备以及高性能嵌入式系统。其高密度、高速度和低功耗的特点使其成为现代移动计算和物联网设备的理想选择。

替代型号

H5PS2G83EFR-Y5J, H5PS1G83EFR-Y5J

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