型号：SCDS3D18NT120
　　制造商：onsemi（安森美）
　　器件类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管
　　反向重复峰值电压（VRRM）：1200V
　　正向平均电流（IF(AV)）：3A
　　正向不重复浪涌电流（IFSM）：40A（单半波，60Hz）
　　正向电压降（VF）：典型值1.7V（在3A，25°C下）
　　反向漏电流（IR）：典型值250μA（在1200V，25°C下），高温时最大约5mA（1200V，175°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（D-Pak），表面贴装型
　　引脚数：3
　　极性：单芯片二极管
　　反向恢复时间（trr）：≈ 0 ns（无少子存储效应）
　　热阻（RθJC）：约20°C/W
　　安装方式：表面贴装

SCDS3D18NT120的核心优势在于其采用第三代碳化硅半导体材料制造而成，这使得它在电气性能上远超传统硅基PIN二极管。首先，该器件具有接近零的反向恢复电荷（Qrr）和几乎可以忽略的反向恢复电流，这意味着在高频开关应用中不会产生额外的动态损耗，从而大幅提高电源系统的转换效率并减少电磁干扰（EMI）。其次，其正向导通电压虽然略高于理想肖特基势垒硅二极管，但由于碳化硅材料的宽禁带特性（~3.2eV），能够在高温环境下维持极低的漏电流水平，在175°C高温下仍能稳定工作，显著优于硅器件的热失控风险。
　　另一个关键特性是其出色的热传导能力和高温可靠性。得益于碳化硅本身高达490W/mK的热导率（约为硅的3倍），结合TO-252封装的优化设计，该器件能够有效将内部热量传递至PCB或散热结构，延长使用寿命并支持更高功率密度的设计。同时，宽的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于恶劣工业环境或密闭空间中的紧凑型电源模块。
　　此外，SCDS3D18NT120具备优异的抗雪崩能力和抗浪涌性能，能承受高达40A的非重复浪涌电流冲击，提升了系统对电网波动或负载突变的适应能力。其无尾电流行为也简化了栅极驱动设计，避免了因反向恢复引起的交叉导通问题，特别适合与MOSFET或IGBT协同使用于有源钳位、续流或升压PFC电路中。整体而言，这款SiC二极管通过材料创新与工艺优化，实现了高效、高可靠与小型化的统一，是现代绿色能源和电动交通领域不可或缺的关键元件。

SCDS3D18NT120因其卓越的高频、高温和高效率特性，被广泛应用于多种高性能电力电子系统中。首要应用场景之一是功率因数校正（PFC）级电路，尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrCM）升压拓扑中，作为升压二极管使用。由于其近乎零的反向恢复电荷，能够极大降低开关管（如MOSFET或GaN HEMT）的开通损耗，从而提升整个AC-DC电源的能效，满足80 PLUS钛金等超高能效标准的要求。
　　在太阳能光伏逆变器中，该器件常用于直流侧升压变换器或H桥同步整流旁路路径，帮助实现更高的能量转化率和更小的系统体积。其高温工作能力也使其非常适合户外长期运行的光伏设备，即使在炎热气候下也能保持稳定性能。
　　此外，在电动汽车车载充电机（OBC）、直流快充桩及48V轻混系统中，SCDS3D18NT120可用于DC-DC变换器的输出整流或中间母线箝位保护，提升充电效率并增强系统鲁棒性。在工业电机驱动和不间断电源（UPS）系统中，它则常作为IGBT模块的续流二极管替代方案，减少热损耗并提高开关频率，进而缩小磁性元件尺寸。
　　其他应用还包括高密度服务器电源、电信整流器、LED大功率驱动电源以及感应加热设备等需要高效、紧凑设计的场合。凭借其表面贴装封装形式，该器件还支持自动化回流焊工艺，适用于大规模智能制造需求。总之，凡是追求高效率、小型化和高可靠性的现代电源设计，SCDS3D18NT120都是极具竞争力的解决方案之一。

SCH2012A-HRC
　　STPSC3H120C
　　C4D03120A