时间：2025/9/14 8:57:19
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PSMN9R5-100BS,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款功率 MOSFET 器件，属于高性能的逻辑电平功率 MOSFET 系列。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的功率管理应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：120A
漏源极电压（VDS）：100V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：200W
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN9R5-100BS,118 具有以下显著特性：
首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件的 RDS(on) 最大值为 9.5mΩ，在 10V 栅极驱动电压下可实现优异的导通性能。
其次，该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流（ID），适合高功率负载的应用场景，例如直流电机控制、电源转换器（如 DC-DC 转换器）和电池管理系统。
再者，PSMN9R5-100BS,118 的 VDS 耐压值为 100V，能够应对较高的电压应力，确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。此外，该器件的栅源极电压为 ±20V，允许在较高的 VGS 条件下工作，从而进一步优化导通性能。
该器件采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和汽车电子系统中的高温环境。
最后，PSMN9R5-100BS,118 的工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，具备良好的温度适应能力，适合用于要求严苛的工作环境。
PSMN9R5-100BS,118 广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。在电源管理领域，该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、同步整流电路和负载开关控制。其高电流能力和低导通电阻使其成为服务器电源、电信设备和工业自动化系统中的理想选择。
在电机控制领域，该器件可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具和工业机器人等应用，提供高效的功率控制和稳定的运行性能。
此外，PSMN9R5-100BS,118 也常用于电池管理系统（BMS）中，特别是在电动车（EV）和储能系统中，用于实现高效的充放电控制。
由于其良好的高温稳定性和高可靠性，该 MOSFET 也适用于汽车电子系统中的功率控制模块，例如车灯控制、空调系统和车载充电器等应用。
IPB120N10N3 G, STP120N10F7, FDP120N10
