SC29026VH 时间：2025/9/3 13:01:50 阅读：5

SC29026VH 是一款由 Semiconductor Components Industries（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换应用，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能。SC29026VH 采用先进的工艺制造，适用于各种高性能电源系统中的开关元件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为 2.6mΩ（典型值为 2.2mΩ）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：D2PAK（TO-263）

特性

SC29026VH 的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得其在高电流下仍能保持稳定的工作状态。
　　此外，SC29026VH 具备出色的热管理性能，能够在高功率密度应用中有效散热，从而延长器件的使用寿命。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，便于与各种驱动电路匹配。
　　该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用。SC29026VH 的封装设计为表面贴装（D2PAK），适用于自动化生产流程，同时也具备良好的机械强度和热稳定性。

应用

SC29026VH 被广泛应用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备、电机控制、电源适配器以及汽车电子系统等。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，SC29026VH 特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计。在汽车电子应用中，该器件可被用于车载充电器、DC-DC 转换器和电动助力转向系统等关键部件。
　　此外，SC29026VH 也常用于服务器电源、通信设备电源模块以及光伏逆变器等高可靠性应用中。