类型：HEMT 射频晶体管
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：16 W（典型值）
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

SBX1671-01 是一款专为高性能无线通信系统设计的射频晶体管。它基于高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造，能够提供出色的射频性能。这款器件在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内工作，非常适合用于 LTE、WiMAX 和其他 4G 基础设施应用。
　　SBX1671-01 的典型输出功率为 16 W，在该频率范围内具有 14 dB 的典型增益和 40% 的典型效率。这些特性使其在高功率密度应用中表现出色，同时还能保持较低的功耗和热管理需求。此外，该晶体管支持 28 V 的漏极电压，确保在高负载条件下稳定运行。
　　该器件还具有良好的线性度和失真性能，使其适用于需要高信号完整性的应用。它的封装设计优化了热管理和射频性能，从而确保在高温环境下也能稳定运行。SBX1671-01 的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，适合在各种恶劣环境条件下使用。

SBX1671-01 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计。它特别适合用于 LTE、WiMAX、5G 前端和其它宽带无线系统中的发射链路。由于其高输出功率、高效率和优异的线性度，这款晶体管广泛应用于宏基站、微基站、射频拉远单元（RRU）以及分布式天线系统（DAS）。此外，其高稳定性和宽工作温度范围也使其适用于工业和户外通信设备。

MRF6S27045SNR、CMF24120D、CGH40010F