类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：40A（每芯片）
　　正向压降（VF）：典型值0.58V，最大值0.70V @ IF=20A, TJ=125°C
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A @ 8.3ms 半正弦波
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277（D2PAK-3L）
　　引脚数：3
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJC）：约1.2°C/W
　　反向漏电流（IR）：最大5.0mA @ VR=60V, TJ=125°C
　　二极管电容（CD）：约2000pF @ V R=4V, f=1MHz

SBR4060CT的核心优势在于其低正向压降与高电流承载能力的结合，使其在大电流应用场景下显著降低导通损耗，从而提高整体电源系统的转换效率。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从根本上消除了少数载流子的储存效应，因此不具备反向恢复时间（trr ≈ 0），避免了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题，非常适合高频开关电源环境。这种零恢复电荷特性使得它在硬开关拓扑如正激、反激、推挽及半桥电路中表现出色，尤其适用于次级侧整流环节。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力。TO-277封装具有较大的裸露焊盘（exposed pad），可有效将热量从芯片传导至PCB，配合适当的散热设计（如多层板铜箔或外接散热片），能够实现高效的热耗散。热阻RθJC仅为约1.2°C/W，意味着即使在满负荷运行时也能维持合理的结温上升，保障长期可靠运行。同时，宽达-65°C至+175°C的工作结温范围使其适用于极端环境条件下的应用，包括高温工业设备和车载电子系统。
　　该器件还具备出色的浪涌电流承受能力，非重复峰值正向浪涌电流可达300A，表明其在面对瞬态过载（如开机冲击、负载突变）时具有较强的鲁棒性，提升了系统安全性。此外，反向漏电流控制良好，在高温条件下（125°C）仍能保持低于5mA的水平，减少了静态功耗和潜在的热失控风险。所有电气参数均经过严格筛选和测试，确保批次一致性，便于自动化贴片生产和质量控制。SBR4060CT符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持绿色环保制造流程。

SBR4060CT主要用于各类高效率、高功率密度的直流电源系统中，尤其是在低压大电流输出场景下发挥重要作用。常见应用包括服务器电源、电信整流器、工业用DC-DC转换模块、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动车充电控制系统等。由于其双共阴极结构，特别适合用于中心抽头式全波整流电路，例如在隔离型开关电源的次级侧对变压器输出进行整流，以获得稳定的低压直流输出（如12V、5V或3.3V）。在此类拓扑中，SBR4060CT可以并联使用或单独驱动两个绕组，实现高效能量传递。
　　在便携式设备和嵌入式系统中，该器件也常用于电池充放电管理电路中的防反接和能量回馈路径，利用其单向导通特性和低VF来减少能量损失。此外，在电机驱动器和H桥电路中，SBR4060CT可作为续流二极管（freewheeling diode）保护功率MOSFET免受感性负载产生的反电动势损坏。由于其快速响应特性，还能有效抑制电压尖峰，提升系统稳定性与EMI性能。
　　随着新能源和电动汽车的发展，SBR4060CT也被广泛应用于车载DC-DC变换器中，用于将高压母线电压降至12V或24V供辅助系统使用。这类应用对元器件的可靠性和耐温性要求极高，而SBR4060CT凭借宽温域、高浪涌能力和坚固封装满足了这些需求。此外，该器件还可用于LED驱动电源、笔记本电脑适配器、机顶盒电源模块等消费电子产品中，助力实现小型化、轻量化和节能设计目标。

SBRT4060CT
　　SS4060
　　MBR4060CT
　　SDM4060CT