类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　平均整流电流（IO）：15A（每芯片）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：0.57V @ 7.5A, 0.62V @ 15A（典型值，Tc=25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.4mA @ 45V（Tc=25°C），10mA @ 45V（Tc=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻结至外壳（RθJC）：1.7°C/W（典型）
　　封装形式：TO-277（DPAK）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

SBR3045CTFP的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒技术。在大电流工作条件下，例如15A时，其典型正向压降仅为0.62V左右，显著低于传统PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提升电源系统的整体能效。这一特性特别适用于高频率开关电源中作为输出整流二极管，可有效减少发热并简化散热设计。此外，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此具有极快的反向恢复速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr趋近于零），避免了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题，提升了系统EMI性能。
　　该器件采用双共阴极结构，即将两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极引脚，这种配置非常适合同步整流拓扑或双路输出电源设计，允许在一个封装内实现两个通道的独立整流功能，节省PCB空间并提高功率密度。其TO-277封装具有优良的热传导性能，底部带有金属焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，确保长时间高负载运行下的热稳定性。该封装还支持自动化贴片生产，适用于大规模回流焊接工艺，增强了制造的一致性和可靠性。
　　SBR3045CTFP具备宽泛的工作温度范围（-65°C至+150°C），可在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级甚至部分汽车级应用。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但仍处于可接受范围内，设计时需合理考虑散热以控制结温。此外，该器件对瞬态过电流有较强的耐受能力，峰值浪涌电流可达150A，适合应对启动冲击或短时过载情况。整体而言，SBR3045CTFP以其高效、紧凑、可靠的特点，成为现代高密度电源设计中的优选器件。

SBR3045CTFP广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。最常见的用途是在开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流元件，尤其是在低压大电流输出的应用场景，如计算机主板供电、服务器电源、笔记本适配器等。由于其低VF特性，能够显著减少能量损耗，提高转换效率，满足能源之星或80 PLUS等能效认证要求。该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中，作为续流二极管或防倒灌二极管，确保电感电流连续性和防止反向电流损坏主控芯片。
　　在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，SBR3045CTFP可用于输入端的极性保护或旁路功能，防止电池接反而损坏内部电路。其快速响应能力也有助于抑制电压反冲。在电机驱动和工业控制系统中，该器件可作为感应负载的续流路径，吸收电感释放的能量，保护开关器件如MOSFET或IGBT免受高压击穿。
　　此外，SBR3045CTFP还可用于汽车电子系统中的辅助电源模块，例如车载充电器、DC-DC变换器或LED驱动电源。虽然其并非专门的AEC-Q101认证车规器件，但在某些非关键性应用中仍可替代使用，前提是进行充分的热管理和可靠性验证。总体来看，该器件凭借其高电流承载能力、低损耗和小型化封装，已成为多种中高端电源架构中的核心组件。

SB3045CTFP
　　MBR3045CT
　　SD3045CT
　　B340LB-13-F
　　SS345