晶体类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-92
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同的档位）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　最大集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.2V（典型值，IC=100mA）

KRC659F具有较高的电流增益（hFE），其范围从110到800，具体数值取决于晶体管的档位（通常分为O档、Y档、GR档、BL档等）。这种高增益使得该晶体管适用于需要高放大的电路设计。
　　该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，这意味着它能够在较高的频率下保持良好的放大性能，适用于高频信号放大器和射频电路。
　　KRC659F的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于各种恶劣的环境条件，如工业控制和汽车电子系统。
　　TO-92封装形式使其易于安装在印刷电路板上，并且具有良好的热稳定性和机械强度。此外，该晶体管的最大功耗为300mW，适合低功耗电路设计。
　　由于其良好的电气特性和稳定性，KRC659F也常用于音频放大器、数字开关电路和逻辑电路中，能够提供可靠的性能。

KRC659F晶体管广泛应用于高频放大电路、射频（RF）放大器、音频放大器和数字开关电路。它也常用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的信号处理和电源管理。
　　在音频放大电路中，KRC659F可用于前置放大器或驱动放大器，提供高增益和低失真。在数字电路中，它可以作为开关元件，控制负载的通断状态。
　　此外，该晶体管还可用于电源管理电路、传感器信号调理电路以及各类电子设备中的信号放大和处理。

KRC659F的替代型号包括2N3904、BC547、KRC658S和KRC659H。这些晶体管在电气特性、封装形式和应用场景上与KRC659F相似，可以作为替代选项使用。