类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100 V
　　最大直流阻断电压（VR）：100 V
　　平均整流电流（Io）：20 A（每芯片）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：80 A
　　正向压降（VF）：典型值0.53 V（在10 A, TJ = 125°C）
　　最大正向压降（VF）：0.62 V（在20 A, TJ = 125°C）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0 mA（在100 V, TJ = 25°C），最高可达400 μA（高温条件下）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5 ns（实际接近于零）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-277（D2PAK）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJC）：约1.5 °C/W（每个芯片）
　　极性配置：双共阴极（Common Cathode）

SBR20100CTB的核心优势在于其采用先进的平面肖特基技术，实现了极低的正向导通压降与几乎为零的反向恢复电荷，从而大幅减少了高频开关过程中的功率损耗。这种特性使其特别适用于高频率、高效率的电源拓扑结构，如同步整流、有源箝位和LLC谐振转换器。该器件的双共阴极配置允许在半桥或全波整流电路中简化布局布线，提升PCB空间利用率并减少寄生电感影响。每个二极管可承载高达20A的平均整流电流，在良好散热条件下可持续工作，满足大功率应用的需求。同时，其TO-277封装具备优良的热传导能力，底部金属焊盘可直接连接至PCB铜层进行高效散热，有效控制结温上升。该器件还具有出色的瞬态过载能力，能承受高达80A的非重复浪涌电流，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。由于肖特基势垒的物理机制，SBR20100CTB不存在少数载流子存储效应，因此不会产生传统PN结二极管的反向恢复尖峰电流和电磁干扰（EMI）问题，有助于改善EMI性能并降低滤波成本。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保长期服役稳定性。其绿色环保封装不含铅和卤素，符合现代工业对环境友好型元件的要求。整个设计兼顾了电气性能、热管理与制造兼容性，是工业级和通信类电源系统的理想选择。
　　值得注意的是，尽管肖特基二极管具有诸多优点，但其反向漏电流随温度升高而显著增加，因此在高温应用场景中需合理设计散热路径以避免热失控风险。此外，100V的阻断电压等级适用于12V至48V输出的DC-DC变换系统，例如服务器电源、电信整流模块和电动汽车辅助电源等。通过优化栅极驱动匹配与PCB布局，SBR20100CTB可以与MOSFET协同实现高效同步整流功能，进一步提升轻载与满载效率表现。

SBR20100CTB广泛应用于各类高效率电源系统中，尤其是在需要低正向压降和快速响应特性的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在中高功率AC-DC适配器和工业电源模块中作为次级侧整流器件；在DC-DC降压或升压转换器中用作续流二极管或输出整流元件，显著降低传导损耗并提升转换效率。该器件也常用于服务器、数据中心和基站通信设备中的中间母线转换器（IBC），支持高密度电源架构的发展趋势。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，SBR20100CTB可用于防反接保护和能量回馈路径中的箝位功能。此外，在电机驱动器和电动工具的电源模块中，它可作为感应负载的续流路径，防止电压反冲损坏主开关器件。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化回流焊工艺，广泛用于批量生产的消费电子、工业控制板和车载电子设备。在LED照明驱动电源中，该器件可用于初级或次级侧的整流与保护电路，保障系统稳定运行。对于需要并联多个二极管以提升电流容量的设计，SBR20100CTB的共阴极集成结构有助于平衡电流分布并减少元件数量。同时，其高频特性使其成为无线充电发射端和接收端电路中的优选整流元件。在新能源汽车领域，该器件可用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，满足对小型化、高效率和高可靠性的严格要求。

SBRT20100CT
　　MBRB20100
　　VS-B20100CN