IXYN47N50 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频率应用。该器件设计用于高效的功率转换系统,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
类型:MOSFET N-Channel
漏极电流 (Id):47A
漏极-源极电压 (Vds):500V
栅极-源极电压 (Vgs):±30V
导通电阻 (Rds(on)):典型值 0.13Ω
功率耗散 (Pd):300W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247AC
IXYN47N50 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率,适用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用。此外,该 MOSFET 采用 TO-247AC 封装,具备良好的热性能和机械稳定性,适合在高温环境下运行。
该器件的高电流处理能力(47A)使其能够在高负载条件下稳定工作,同时其 500V 的漏极-源极击穿电压确保了在高压系统中的可靠性。栅极-源极电压范围为 ±30V,提供了良好的驱动兼容性,可与常见的 PWM 控制器配合使用。
IXYN47N50 还具有快速开关特性,能够支持高频操作,这对于减小功率变换器的体积和重量非常重要。此外,其内部结构优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于降低系统噪声。
在可靠性方面,该 MOSFET 采用了高级硅技术,具有优异的耐用性和热稳定性。它能够在极端温度条件下(从 -55°C 到 +150°C)正常工作,适用于各种工业和汽车电子环境。
IXYN47N50 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、光伏逆变器、电机驱动器、电池充电器和 DC-DC 转换器等。此外,它也常用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)和电动汽车充电系统中。
由于其高耐压和高电流能力,IXYN47N50 在高压功率转换系统中表现出色,例如在太阳能逆变器中用于将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。在电机控制应用中,它可以作为高效的功率开关,实现对电机速度和扭矩的精确控制。
在汽车电子领域,该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电动压缩机等应用,提供可靠的功率控制。在工业自动化系统中,IXYN47N50 可用于伺服驱动器、变频器和高功率 LED 驱动器等设备。
STP47N50, IRF540N, FDP47N50, FQA47N50