类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：8个
　　最大集电极电流（IC）：100mA/每晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大基极电流（IB）：5mA
　　电流增益（hFE）：100 - 1000（视型号后缀）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DIP-16 / SOIC-16

SBR12200是一款专为高可靠性和高稳定性设计的晶体管阵列器件。其内部集成了8个NPN型晶体管，每个晶体管均可独立使用，适用于多路开关或驱动电路。该器件的电流增益范围广泛，可根据不同应用场景选择合适增益等级，从而优化电路性能。每个晶体管的最大集电极电流可达100mA，集电极-发射极击穿电压为30V，具备良好的耐压能力，适用于多种电源管理与信号放大任务。
　　SBR12200采用先进的硅外延平面工艺制造，具有较低的饱和压降，有助于减少功耗和提升效率。其基极输入阻抗适中，适合与TTL或CMOS逻辑电路直接连接，简化了接口设计。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在较宽温度范围内稳定工作，特别适合用于工业环境中的自动化控制系统。
　　该器件的DIP-16或SOIC-16封装形式，提供了良好的焊接稳定性和空间利用率，适合通孔插装（THT）或表面贴装（SMT）工艺。由于其高集成度和一致性，SBR12200在LED驱动、继电器控制、电机驱动、逻辑电平转换等应用中表现出色，是替代多个分立晶体管的理想选择。

SBR12200广泛应用于各种电子系统中，包括但不限于：工业自动化控制系统的多路开关和继电器驱动电路；LED显示屏的行列扫描驱动；消费类电子产品的逻辑信号放大和电平转换；通信设备中的模拟和数字信号处理电路；以及汽车电子中的小型电机控制和传感器接口电路。

ULN2003A, ULN2004A, TPIC6B595, TIP122