电容值：8.2nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度系数/介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　端接类型：Ni-Sn (镍锡) 涂层
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　产品系列：CL
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200

CL31B822KBCNNNC 采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由多个交错堆叠的陶瓷介质与金属电极构成，形成高效的储能结构。这种设计不仅提升了单位体积下的电容密度，还显著降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而在高频下仍能维持优异的阻抗特性，适用于高速数字电路中的去耦应用。其X7R介电材料具有出色的温度稳定性，在宽温范围内电容值变化小，确保系统在不同环境条件下运行的一致性与可靠性。该材料也具备较低的电压依赖性，即在接近额定电压工作时，电容值不会出现明显下降，优于Y5V等普通介质类型。
　　该器件采用坚固的端接结构，经过多次热循环测试验证，能够有效抵抗焊接过程中的热应力和PCB弯曲带来的机械应力，减少因微裂纹引起的早期失效风险。其镍锡（Ni-Sn）涂层提供良好的可焊性与长期耐腐蚀性，适应无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的要求。此外，CL31B822KBCNNNC 在生产过程中执行严格的品质控制流程，每批产品均经过电气参数抽检与可靠性验证，保证出厂一致性。得益于三星电机在全球MLCC市场的领先地位，该型号供应稳定，交期可控，适合大批量自动化生产使用。
　　在电磁兼容（EMC）方面，该电容器可用于构建低通滤波网络，抑制开关电源产生的高频噪声向下游传播，提高系统的抗干扰能力。同时，它也可用于时钟线路或数据总线的旁路处理，降低信号抖动，提升通信质量。整体而言，CL31B822KBCNNNC 是一款性能均衡、可靠性高的通用型MLCC，在成本、性能与可用性之间取得了良好平衡，是工程师在电路设计中常用的优选元件之一。

CL31B822KBCNNNC 广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子电路中。常见用途包括电源去耦，特别是在微处理器、FPGA、ASIC 和 DSP 等高速数字芯片的供电引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定电压，防止因电流突变引起的电压波动影响系统正常运行。在DC-DC 转换器和LDO稳压电路中，该电容常被用作输入和输出滤波元件，配合电感组成LC滤波网络，有效平滑纹波电压，提升电源纯净度。
　　在模拟信号链路中，如运算放大器、ADC/DAC 前端电路，该器件可用于构建抗混叠滤波器或重建滤波器，帮助抑制带外干扰信号。在射频（RF）模块和无线通信设备中，它可以作为偏置电路的旁路电容，隔离射频信号与直流偏置之间的相互干扰，保障信号完整性。此外，在工业控制与汽车电子领域，由于其通过AEC-Q200认证并具备宽温工作能力，该型号也被用于车载信息娱乐系统、传感器接口电路和电机驱动控制板中，承担去耦、耦合与滤波功能。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和家用路由器中，CL31B822KBCNNNC 凭借其小型化封装和高可靠性，广泛用于主板上的各种功能模块。例如，在摄像头模组、音频编解码电路和Wi-Fi/蓝牙模块中发挥关键作用。其稳定的电气性能确保了设备在长时间运行下的功能一致性，是现代高密度PCB设计中不可或缺的基础元件。

GRM21BR71H822KA01L
　　C2012X7R1H822K
　　CL21B822KBANNNC
　　ECJ-2VB1H822K