STH6N100FI 时间：2025/7/23 2:14:31 阅读：21

STH6N100FI是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高频率和高效率的电源转换应用。STH6N100FI采用TO-220FP封装，具备良好的热性能和可靠性，适用于工业电源、电源适配器、DC-DC转换器等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：6A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：0.32Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　最大功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

STH6N100FI采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的导通和开关性能。其导通电阻仅为0.32Ω，使得在导通状态下损耗更低，提高了整体系统的效率。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2V~4V，适合与常见的驱动电路兼容，确保快速且稳定的开关动作。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，从而提高高频应用的性能。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度下持续工作而不发生性能下降。TO-220FP封装提供了良好的散热性能，便于在高功率密度设计中使用。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过压条件下仍能保持稳定工作，提高系统的可靠性和寿命。

应用

STH6N100FI广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电源适配器、LED驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电机控制电路。由于其具备高效率、低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET特别适合用于需要高功率密度和高性能的电源管理应用。此外，该器件也可用于负载开关、电源管理模块以及高频率逆变器系统。