SS7N60是一款常用的N沟道功率MOSFET,广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等高功率应用中。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。SS7N60的工作电压为600V,最大连续漏极电流可达7A,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
最大功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
SS7N60具有多项优越的电气性能,首先是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外,该MOSFET具备较高的耐压能力,可承受600V的漏源电压,使其适用于高压应用场景。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,提高器件的热稳定性。SS7N60的栅极阈值电压范围适中,确保在各种驱动条件下都能可靠导通。同时,该器件具有较高的热阻能力,可在较高环境温度下稳定运行。由于其结构设计和制造工艺,SS7N60在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗,提高了整体系统性能。
另外,SS7N60的高电流承载能力使其能够胜任需要较大负载电流的应用,例如电机驱动和电源转换器。其耐用性和稳定性使其成为工业自动化、电源管理和消费类电子产品中的常见选择。通过优化设计,SS7N60能够在保持高性能的同时减少功耗,延长设备使用寿命。
SS7N60主要用于各种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、照明系统以及电池管理系统。在开关电源中,该器件用于高效地进行电压转换,提供稳定的输出电压。在电机控制应用中,SS7N60可以作为功率开关,控制电机的启停和速度调节。由于其高频响应能力,该MOSFET也常用于高频逆变器和UPS(不间断电源)系统。此外,SS7N60还可用于LED照明驱动电路,提供高效能和稳定的电流控制。在家电和工业设备中,该器件被广泛用于各类功率调节和负载开关控制场合。
IRF740、FQP7N60、STP7NK60Z、2SK2141