时间:2025/12/26 22:29:05
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SZ1SMA48AT3G是一种由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电感负载切换引起的电压尖峰和雷击感应等)的损害而设计。该器件采用紧凑的SMA(DO-214AC)封装,适用于空间受限的应用场景。SZ1SMA48AT3G的标称反向截止电压为48V,能够在短时间内承受高达600W的峰值脉冲功率(根据IEC 61000-4-2标准测试条件)。该TVS二极管具有快速响应时间,通常在皮秒级别,能够迅速将过压钳位到安全水平,从而有效防止下游电路元件因过压而损坏。由于其单向结构,SZ1SMA48AT3G主要用于直流电源线路或信号线的正向电压保护,适合与微控制器、接口电路、电源模块和其他半导体器件配合使用。该器件符合RoHS环保要求,并支持无铅焊接工艺,广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域。
类型:单向TVS二极管
封装:SMA(DO-214AC)
反向截止电压(VRWM):48V
击穿电压(VBR):最小53.3V,最大58.9V
钳位电压(VC):75.6V(在IPP = 7.94A时)
峰值脉冲电流(IPP):7.94A
峰值脉冲功率(PPPM):600W(10/1000μs波形)
漏电流(IR):≤5μA(在VRWM下)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
极性:单向
SZ1SMA48AT3G的核心特性之一是其高效的瞬态电压抑制能力,能够在纳秒级时间内响应并钳制瞬态过电压,从而保护后端电路不受高压冲击的影响。该TVS二极管采用了高性能的硅PN结技术,确保在高能量瞬态事件中仍能保持稳定的钳位性能。其48V的反向截止电压使其特别适用于24V至48V的直流电源系统,例如工业PLC、电机驱动器、继电器控制电路以及电信设备中的电源轨保护。在实际应用中,当线路电压超过其击穿阈值(约53.3V以上)时,器件会迅速从高阻态转变为低阻态,将多余的能量通过自身泄放至地,限制输出电压在75.6V以下,从而避免后级IC或元件进入击穿区。
另一个关键优势是其紧凑的SMA封装形式,不仅节省PCB空间,而且便于自动化贴片生产,提升了制造效率。该封装具备良好的热传导性能,在短时高功率脉冲下可有效散热,延长器件寿命。此外,SZ1SMA48AT3G具有极低的待机电流(典型值小于1μA),在正常工作条件下几乎不消耗系统功耗,也不会对原电路造成干扰。其高可靠性经过AEC-Q101认证(适用于汽车级应用),表明其在极端温度循环、湿度、振动等恶劣环境下仍能稳定运行。
该器件还具备优异的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准(±8kV接触放电),可用于保护连接器、数据端口等易受人体静电影响的节点。同时支持IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)和IEC 61000-4-5(雷击浪涌)测试标准,增强了系统整体的电磁兼容性(EMC)。由于其单向结构设计,仅在正向过压时导通,因此非常适合用于正电压供电线路的反接保护或开关瞬态抑制。总体而言,SZ1SMA48AT3G是一款高性能、高可靠性的TVS解决方案,兼顾了响应速度、功率处理能力和环境适应性,是现代电子系统中不可或缺的保护元件。
SZ1SMA48AT3G广泛应用于需要中高压直流线路保护的各种电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的电源输入端口保护,特别是在可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口模块和执行器驱动电路中,用于抵御来自长电缆耦合的感应电压或继电器断开时产生的反电动势。在通信设备领域,该器件常被部署于以太网供电(PoE)系统的直流侧、基站电源模块或光模块供电路径中,防止雷击感应或电源异常导致的损坏。在汽车电子方面,尽管其主要定位并非车规主功能件,但仍可用于车载辅助电源系统、车身控制模块(BCM)或车载诊断接口(OBD-II)的瞬态抑制。
此外,在消费类电子产品中,如智能家居网关、安防摄像头、LED照明驱动电源等,SZ1SMA48AT3G可用于保护DC输入端免受插拔瞬间的电压反弹或适配器故障带来的高压冲击。它也常见于开关模式电源(SMPS)的次级输出侧,作为额外的过压保护层,提升系统安全性与MTBF(平均无故障时间)。由于其快速响应和高能量吸收能力,该器件还可用于保护微处理器、FPGA、ADC/DAC等精密芯片的供电引脚,尤其是在存在热插拔或频繁启停操作的系统中。总之,任何存在瞬态电压风险且工作电压在48V左右的直流电路,都是SZ1SMA48AT3G的理想应用场所。
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