时间：2025/6/19 10:22:42
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SBDB3045SCTB是一种基于硅技术的双通道功率MOSFET器件，采用紧凑型表面贴装封装。该器件结合了两个N沟道MOSFET，主要用于需要高效率和低导通损耗的应用场合。SBDB3045SCTB具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
由于其出色的电气特性，这款双通道MOSFET被广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。此外，它还支持较高的连续漏极电流，确保在多种复杂工作环境下具备良好的可靠性。
最大漏源电压：45V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：36nC
总热阻（结到环境）：60°C/W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-Leadless（TOLL）
SBDB3045SCTB具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有效降低功耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，可满足大功率应用需求。
3. 较小的封装尺寸，有助于简化PCB布局设计并节省空间。
4. 优化的热性能，保证在极端温度条件下的稳定运行。
5. 双通道集成设计，减少外部元件数量并提高整体解决方案的紧凑性。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
SBDB3045SCTB适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统的负载切换与保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED照明驱动电路中的高效功率转换。
6. 各类便携式电子设备的电池充电管理方案。
IRFB4110TRPBF, FDP5800, STP190N4F5
