时间：2025/7/11 12:40:30
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RF15N3R0C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能射频功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，提供卓越的射频性能和可靠性。它适用于通信、雷达、工业加热以及其他需要高效率和宽带宽的射频系统。
其核心特点在于高增益、高输出功率以及低热阻设计，使其能够在苛刻的工作条件下保持稳定运行。同时，RF15N3R0C500CT 支持广泛的频率范围，满足现代无线通信对高效能器件的需求。
型号：RF15N3R0C500CT
类型：射频功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
工作频率范围：800 MHz 至 3.5 GHz
最大输出功率：500 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
插入损耗：<1.5 dB
驻波比 (VSWR)：≤2.5:1
封装形式：TO-270AC
工作温度范围：-40°C 至 +105°C
RF15N3R0C500CT 的主要特性包括高效率的氮化镓工艺，能够显著减少能量损耗并提升系统性能。
该器件具备出色的线性度和稳定性，在高频段表现出极低的噪声水平。
此外，其独特的封装设计确保了良好的散热性能，从而提高了长期使用的可靠性。
与其他传统硅基晶体管相比，RF15N3R0C500CT 在高频和高功率场景中具有明显优势，例如更高的功率密度和更低的寄生电容。
这种晶体管非常适合要求严格的应用环境，例如基站放大器、军事雷达和工业微波设备。
RF15N3R0C500CT 广泛应用于以下领域：
1. 通信基础设施：用于蜂窝基站、中继站等射频功率放大器模块。
2. 雷达系统：支持空中交通管制雷达、气象雷达和军事目标探测雷达。
3. 工业加热：如塑料焊接、干燥设备和其他需要射频能量转换的应用。
4. 医疗设备：在某些特定治疗仪器中作为功率源。
5. 测试与测量：为信号发生器和频谱分析仪提供稳定的高功率输出。
总之，这款晶体管因其卓越的射频性能而成为众多高端应用的理想选择。
RF15N3R0C300CT, RF10N3R0C500CT
