GS9035ACTJE3 时间：2025/8/5 3:45:05 阅读：11

GS9035ACTJE3是一款由Giantec Semiconductor公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。GS9035ACTJE3采用TO-252（DPAK）封装，适用于各种电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GS9035ACTJE3具有多项优异特性，确保其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效。在60A的连续漏极电流能力下，该器件适用于高电流负载应用，例如服务器电源、电动工具和工业控制系统。
　　其次，GS9035ACTJE3采用先进的沟槽式MOSFET技术，增强了开关性能并降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。此外，该器件具备良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行，从而提高了系统的可靠性和寿命。
　　TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还便于PCB布局和焊接，适用于表面贴装工艺，降低了生产成本。该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子制造的环保要求。

应用

GS9035ACTJE3广泛应用于多种电源管理系统和电子设备中。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、电源管理单元（PMU）以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，GS9035ACTJE3特别适用于需要高效率和高功率密度的设计，例如便携式充电设备、电动工具、无人机电源系统以及LED照明驱动电路。此外，在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电器、车身控制系统和电池管理系统中。